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GaAs均匀点状结构的分子束外延图形生长

牛智川 周增圻 吴荣汉 封松林 R.NOETZEL U.JAHN K.H.PLOOG

引用本文:
Citation:

GaAs均匀点状结构的分子束外延图形生长

牛智川, 周增圻, 吴荣汉, 封松林, R.NOETZEL, U.JAHN, K.H.PLOOG

FORMATION OF GaAs UNIFORM DOT STRUCTURES GROWN BY MBE ON PATTERNED SUBSTRATES

NIU ZHI-CHUAN, ZHOU ZENG-QI, WU RONG-HAN, FENG SONG-LIN, R.NOETZEL, U.JAHN, K.H.PLOOG
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出版历程
  • 收稿日期:  1997-07-18
  • 修回日期:  1998-02-06
  • 刊出日期:  1998-04-05

GaAs均匀点状结构的分子束外延图形生长

  • 1. (1)Paul-Drude-Institut For Solid State Electronics,Hausvogteiplatz 5-7,D-10117,Germany; (2)中国科学院半导体研究所,北京 100083

摘要: 报道了在(311)A腐蚀图形衬底上,用分子束外延(MBE)生长高度规则的三种点状结构的实验研究.样品表面的原子力显微镜和剖面的扫描电子显微镜测试结果表明,在不同尺寸的方形凹面腐蚀图形区域,原凹面之间形成了沿[233]晶向不完全和完全收缩的尖角形点状外延结构;而在方形台面腐蚀图形区域,台顶面之间形成了沿[233]方向收缩的脊形点状结构.分析认为这些均匀有序的三角形点状结构的形成是由非平面(311)A衬底上生长各向异性导致的必然结果,而构成这些点结构的晶面取向与原图形的取向相关.低温阴极荧光谱测试结果清晰地表

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