搜索

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

ZnS型薄膜电致发光器件输运过程的解析能带模拟

赵 辉 何大伟 王永生 徐叙瑢

引用本文:
Citation:

ZnS型薄膜电致发光器件输运过程的解析能带模拟

赵 辉, 何大伟, 王永生, 徐叙瑢

ANALYTICAL BAND SIMULATION OF ELECTRIC TRANSPORT IN ZnS THIN FILM ELECTROLUMINES CENT DEVICES

ZHAO HUI, HE DA-WEI, WANG YONG-SHENG, XU XU-RONG
PDF
导出引用
计量
  • 文章访问数:  2269
  • PDF下载量:  196
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  1999-10-31
  • 修回日期:  2000-03-06
  • 刊出日期:  2000-09-20

ZnS型薄膜电致发光器件输运过程的解析能带模拟

  • 1. 北方交通大学光电子技术研究所,北京 100044
    基金项目: 国家自然科学基金(批准号:59982001)资助的课题.

摘要: 采用解析能带模型对ZnS型薄膜电致发光器件的输运过程进行了Monte Carlo模拟.利用分段的多项式拟合了ZnS的实际导带结构,计算了能态密度和散射速率.以这些结果为基础,模拟了ZnS中的电子输运过程.通过比较,这一模型既具有非抛物多能谷能带模型运算速度快、使 用方便的优势,又具有与采用全导带模型相近的计算精度.进而,讨论了能带模型对模拟结 果的影响,发现色散关系与能态密度均对模拟结果有较大影响.

English Abstract

目录

    /

    返回文章
    返回