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4H-SiC pn结型二极管击穿特性中隧穿效应影响的模拟研究

吕红亮 张义门 张玉明

引用本文:
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4H-SiC pn结型二极管击穿特性中隧穿效应影响的模拟研究

吕红亮, 张义门, 张玉明

The simulation study of the tunneling effect in the breakdown of 4H-SiC pn junc tion diode

Lü Hong-Liang, Zhang Yi-Men, Zhang Yu-Ming
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出版历程
  • 收稿日期:  2002-11-19
  • 修回日期:  2003-02-25
  • 刊出日期:  2003-05-05

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