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GaN表面极性的光电子衍射研究

徐彭寿 邓锐 潘海斌 徐法强 谢长坤 李拥华 刘凤琴 易布拉欣·奎热西

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GaN表面极性的光电子衍射研究

徐彭寿, 邓锐, 潘海斌, 徐法强, 谢长坤, 李拥华, 刘凤琴, 易布拉欣·奎热西

Photoelectron diffraction study on the polarity of GaN surface

Xu Peng-Shou, Deng Rui, Pan Hai-Bin, Xu Fa-Qiang, Xie Chang-Kun, Li Yong-Hua, Liu Feng-Qin, K. Yibulaxin
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出版历程
  • 收稿日期:  2003-05-26
  • 修回日期:  2003-10-08
  • 刊出日期:  2004-02-05

GaN表面极性的光电子衍射研究

  • 1. (1)中国科学技术大学国家同步辐射实验室,合肥 230029; (2)中国科学院高能物理研究所同步辐射中心,北京 100039
    基金项目: 中国科学院知识创新工程资助的课题.

摘要: 利用x射线光电子衍射的极角扫描模式,采集了GaN(0001)表面由(1010)和(1120)晶面产生的光电子衍射实验曲线,并运用光电子衍射的前向聚焦效应确定了GaN(0001)表面是Ga在最外层的极性面.利用与能量有关的光电子衍射即角分辨光电发射精细结构谱技术并结合多重散射团簇模型计算对GaN(0001)表面的极化性质进行了研究,进一步证实了GaN表面是Ga在最外层的极性面.

English Abstract

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