| [1] |
刘慧桢, 刘蓓, 董家斌, 李建鹏, 曹子修, 刘越, 孟汝涛, 张毅. 不同环境下硫化镉/铜基薄膜异质结退火对太阳电池性能调控. 物理学报,
2023, 72(8): 088802.
doi: 10.7498/aps.72.20230105
|
| [2] |
李双明, 耿振博, 胡锐, 刘毅, 罗锡明. 晶体生长角和凝固速率对贵金属电子束区域熔炼晶体生长的作用. 物理学报,
2015, 64(10): 108101.
doi: 10.7498/aps.64.108101
|
| [3] |
张鑫鑫, 靳映霞, 叶晓松, 王茺, 杨宇. 高速率沉积磁控溅射技术制备Ge点的退火生长研究. 物理学报,
2014, 63(15): 156802.
doi: 10.7498/aps.63.156802
|
| [4] |
李志国, 刘玮, 何静婧, 李祖亮, 韩安军, 张超, 周志强, 张毅, 孙云. Stage2沉积速率对低温生长CIGS薄膜特性及器件的影响. 物理学报,
2013, 62(3): 038803.
doi: 10.7498/aps.62.038803
|
| [5] |
周平, 王新强, 周木, 夏川茴, 史玲娜, 胡成华. 第一性原理研究硫化镉高压相变及其电子结构与弹性性质. 物理学报,
2013, 62(8): 087104.
doi: 10.7498/aps.62.087104
|
| [6] |
薛振杰, 李葵英, 孙振平. 核壳结构硒化镉/硫化镉/巯基乙酸量子点载流子输运特性. 物理学报,
2013, 62(6): 066801.
doi: 10.7498/aps.62.066801
|
| [7] |
罗彩香, 夏海平, 虞灿, 徐军. 掺Bi钨酸镉单晶体发光特性的研究. 物理学报,
2011, 60(7): 077806.
doi: 10.7498/aps.60.077806
|
| [8] |
臧竞存, 郑锴, 邹玉林, 吴敬朋, 宋晏蓉, 刘国庆, 冯宝华, 张东香, 刘玉龙, 朱恪. 掺铥钨酸钡单晶生长和光谱研究. 物理学报,
2010, 59(1): 609-615.
doi: 10.7498/aps.59.609
|
| [9] |
宋禹忻, 俞重远, 刘玉敏. 沉积速率和生长停顿对InAs/GaAs量子点超晶格生长影响的综合分析. 物理学报,
2008, 57(4): 2399-2403.
doi: 10.7498/aps.57.2399
|
| [10] |
刘 磊, 任晓敏, 周 静, 王 琦, 熊德平, 黄 辉, 黄永清. 横向外延过生长磷化铟材料的生长速率模型. 物理学报,
2007, 56(6): 3570-3576.
doi: 10.7498/aps.56.3570
|
| [11] |
刘家璐, 张廷庆, 罗宏伟, 严北平, 郎维和, 张宝峰. 碲溶剂法生长碲镉汞晶体的数值模拟. 物理学报,
1998, 47(2): 275-285.
doi: 10.7498/aps.47.275
|
| [12] |
元如林, 施尔畏, 王步国, 夏长泰, 李文军, 仲维卓. 硫化锌晶粒生长基元稳定能及生长形态. 物理学报,
1997, 46(10): 2071-2080.
doi: 10.7498/aps.46.2071
|
| [13] |
严北平, 刘家璐, 张廷庆, 王朝东, 郎维和, 张宝峰. 移动加热器法生长碲镉汞晶体的数值模拟. 物理学报,
1995, 44(3): 439-445.
doi: 10.7498/aps.44.439
|
| [14] |
王刚, 解思深, 刘维, 俞育德, 赵铁男, 李楠, 王昌庆, 傅春生, 郑幼凤, 钱生法, 张泽勃. C60单晶的汽相生长. 物理学报,
1994, 43(6): 973-978.
doi: 10.7498/aps.43.973
|
| [15] |
刘寄浙, 金通政, 刘公强. GGG单晶的助熔生长与成核温度的确定. 物理学报,
1980, 29(1): 117-121.
doi: 10.7498/aps.29.117
|
| [16] |
超声研究室超声压电材料组. 片状铌酸锂单晶的生长及其特性. 物理学报,
1979, 28(6): 783-790.
doi: 10.7498/aps.28.783
|
| [17] |
晶体学室铌酸盐晶体研究组. 铌酸锶钠锂单晶的生长. 物理学报,
1979, 28(2): 229-233.
doi: 10.7498/aps.28.229
|
| [18] |
沈世纲, 黄敞, 于凤树. 关于热生长SiO2薄膜厚度的测量. 物理学报,
1964, 20(7): 654-661.
doi: 10.7498/aps.20.654
|
| [19] |
吴大勇, 张咏紫, 莫党. 关于拉硅单晶时石英坩埚的沾污过程. 物理学报,
1963, 19(2): 134-138.
doi: 10.7498/aps.19.134
|
| [20] |
赵广增；徐世秋；王传珏. 硫化镉单晶体本征吸收边的类氢光谱系. 物理学报,
1956, 12(3): 187-194.
doi: 10.7498/aps.12.187
|
下载:
