[1] |
仇鹏, 刘恒, 朱晓丽, 田丰, 杜梦超, 邱洪宇, 陈冠良, 胡玉玉, 孔德林, 杨晋, 卫会云, 彭铭曾, 郑新和. III族氮化物半导体及其合金的原子层沉积和应用. 物理学报,
2024, 73(3): 038102.
doi: 10.7498/aps.73.20230832
|
[2] |
康家兴, 严全河, 曹浩宇, 孟威威, 徐飞, 洪峰. 新型四元硫族化合物光伏特性的高通量筛选和第一性原理研究. 物理学报,
2024, 0(0): .
doi: 10.7498/aps.73.20240795
|
[3] |
汤衍浩. 转角半导体过渡金属硫族化物莫尔超晶格中的新奇物态. 物理学报,
2023, 72(2): 027802.
doi: 10.7498/aps.72.20222080
|
[4] |
舒衍涛, 张有为, 王顺. 基于过渡金属硫族化合物同质结的光电探测器. 物理学报,
2021, 70(17): 177301.
doi: 10.7498/aps.70.20210859
|
[5] |
施亨宪, 杨凯科, 骆军委. III-V族硼基化合物半导体反常热导率机理. 物理学报,
2021, 70(14): 147302.
doi: 10.7498/aps.70.20210797
|
[6] |
刘慧莹, 王树申, 林恒福. 单层haeckelites结构Ⅲ族金属硫族化合物MX (M = Al, Ga, In; X = S, Se, Te). 物理学报,
2020, 69(14): 146802.
doi: 10.7498/aps.69.20191955
|
[7] |
谢修华, 李炳辉, 张振中, 刘雷, 刘可为, 单崇新, 申德振. 点缺陷调控: 宽禁带II族氧化物半导体的机遇与挑战. 物理学报,
2019, 68(16): 167802.
doi: 10.7498/aps.68.20191043
|
[8] |
马嵩松, 舒天宇, 朱家旗, 李锴, 吴惠桢. Ⅳ-Ⅵ族化合物半导体异质结二维电子气研究进展. 物理学报,
2019, 68(16): 166801.
doi: 10.7498/aps.68.20191074
|
[9] |
周愈之. 过渡金属硫族化合物柔性基底体系的模型与应用. 物理学报,
2018, 67(21): 218102.
doi: 10.7498/aps.67.20181571
|
[10] |
陈祥磊, 张杰, 杜淮江, 周先意, 叶邦角. 化合物半导体材料的正电子寿命计算. 物理学报,
2010, 59(1): 603-608.
doi: 10.7498/aps.59.603
|
[11] |
张明昕, 吴克琛, 刘彩萍, 韦永勤. 密度泛函交换关联势与过渡金属化合物光学非线性的计算研究. 物理学报,
2005, 54(4): 1762-1770.
doi: 10.7498/aps.54.1762
|
[12] |
王杰, 俞根才, 诸长生, 王迅. 宽禁带Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体薄膜及超晶格的外延生长及特性研究. 物理学报,
1995, 44(9): 1471-1479.
doi: 10.7498/aps.44.1471
|
[13] |
杨应昌, 董生智, 杨俊. Rfe10.5V1.5Nx化合物的结构和内禀磁性研究. 物理学报,
1994, 43(7): 1177-1184.
doi: 10.7498/aps.43.1177
|
[14] |
王仁智, 黄美纯. GaAs和AlAs光学声子形变势的第一性原理研究. 物理学报,
1990, 39(2): 282-288.
doi: 10.7498/aps.39.282
|
[15] |
王仁智, 黄美纯. Ga1-xAlxAs光学声子形变势研究. 物理学报,
1990, 39(11): 1778-1784.
doi: 10.7498/aps.39.1778
|
[16] |
段文晖, 顾秉林, 朱嘉麟. 硫族化合物半导体CdSe,CdTe和SnSe的电子结构. 物理学报,
1990, 39(3): 437-445.
doi: 10.7498/aps.39.437
|
[17] |
李立曼, 王刚. 插层化合物钨青铜单晶的物理研究. 物理学报,
1989, 38(5): 849-852.
doi: 10.7498/aps.38.849
|
[18] |
徐建华. Al3V化合物的内聚性质. 物理学报,
1989, 38(4): 679-682.
doi: 10.7498/aps.38.679
|
[19] |
王德宁, 王渭源. 化合物半导体中离子射程参数与化学键中离子特性间关系研究. 物理学报,
1989, 38(6): 923-930.
doi: 10.7498/aps.38.923
|
[20] |
徐世秋. 利用红外吸收积分强度进行碳氢化合物中的族分析. 物理学报,
1959, 15(6): 337-340.
doi: 10.7498/aps.15.337
|