[1] |
李文涛, 梁艳, 王炜华, 杨芳, 郭建东. LaTiO3(110)薄膜分子束外延生长的精确控制和表面截止层的研究. 物理学报,
2015, 64(7): 078103.
doi: 10.7498/aps.64.078103
|
[2] |
贾仁需, 刘思成, 许翰迪, 陈峥涛, 汤晓燕, 杨霏, 钮应喜. 4H-SiC同质外延生长Grove模型研究. 物理学报,
2014, 63(3): 037102.
doi: 10.7498/aps.63.037102
|
[3] |
胡懿彬, 郝智彪, 胡健楠, 钮浪, 汪莱, 罗毅. 分子束外延生长InGaN/AlN量子点的组分研究. 物理学报,
2012, 61(23): 237804.
doi: 10.7498/aps.61.237804
|
[4] |
张兵坡, 蔡春锋, 才玺坤, 吴惠桢, 王淼. 分子束外延生长[111]晶向CdTe的研究. 物理学报,
2012, 61(4): 046802.
doi: 10.7498/aps.61.046802
|
[5] |
贾仁需, 张义门, 张玉明, 郭 辉, 栾苏珍. 4H-SiC同质外延的绿带发光与缺陷的关系. 物理学报,
2008, 57(7): 4456-4458.
doi: 10.7498/aps.57.4456
|
[6] |
曹春芳, 吴惠桢, 斯剑霄, 徐天宁, 陈 静, 沈文忠. 分子束外延PbTe单晶薄膜的反常拉曼光谱研究. 物理学报,
2006, 55(4): 2021-2026.
doi: 10.7498/aps.55.2021
|
[7] |
敬 超, 金晓峰, 董国胜, 龚小燕, 郁黎明, 郑卫民. 分子束外延生长Fe/Fe50Mn50双层膜的交换偏置. 物理学报,
2000, 49(10): 2022-2026.
doi: 10.7498/aps.49.2022
|
[8] |
康俊勇, 黄启圣, 小川智哉. GaN外延层中的缺陷研究. 物理学报,
1999, 48(7): 1372-1380.
doi: 10.7498/aps.48.1372
|
[9] |
许强, 王建宝, 袁健, 陆昉, 孙恒慧. 重掺硼快速退火分子束外延硅的X射线衍射研究. 物理学报,
1995, 44(3): 432-438.
doi: 10.7498/aps.44.432
|
[10] |
袁健, 陆昉, 孙恒慧, 卫星, 杨敏, 黄大鸣, 徐宏来, 沈鸿烈, 邹世昌. 快速退火后重掺硼的分子束外延层的电学特性. 物理学报,
1994, 43(7): 1137-1143.
doi: 10.7498/aps.43.1137
|
[11] |
潘士宏, 王忠和, 黄硕, 张存洲, 周小川, 徐贵昌, 蒋健, 陈忠圭. 掺杂分子束外延GaAs薄膜表面和GaAs-GaAs界面的光反射调制谱. 物理学报,
1993, 42(11): 1879-1886.
doi: 10.7498/aps.42.1879
|
[12] |
周国良, 盛篪, 樊永良, 蒋维栋, 俞鸣人. GexSi1-x/Si应变层超晶格的分子束外延生长及其特性研究. 物理学报,
1993, 42(7): 1121-1128.
doi: 10.7498/aps.42.1121-2
|
[13] |
胡福义, 李爱珍. 分子束外延GaAs/Si材料的喇曼散射研究. 物理学报,
1991, 40(6): 962-968.
doi: 10.7498/aps.40.962
|
[14] |
周国良;盛篪;樊永良;蒋维栋;俞鸣人. Ge_xSi_1-x_/Si应变层超晶格的分子束外延生长及其特性研究. 物理学报,
1991, 40(7): 1121-1128.
doi: 10.7498/aps.40.1121
|
[15] |
宗祥福, 邱绍雄, 杨恒青, 黄长河, 陈骏逸, 胡刚, 吴仲墀. GaSb/AlSb/GaAs应变层结构的分子束外延生长. 物理学报,
1990, 39(12): 1959-1964.
doi: 10.7498/aps.39.1959
|
[16] |
邓容平;蒋维栋;孙恒慧. 分子束外延生长Si/GaP(III)异质结的界面特性. 物理学报,
1989, 38(8): 1265-1270.
doi: 10.7498/aps.38.1265
|
[17] |
吴凤美, 汪春, 唐杰, 龚邦瑞. n型气相外延GaAs层中中子辐照感生缺陷的研究. 物理学报,
1988, 37(7): 1203-1208.
doi: 10.7498/aps.37.1203
|
[18] |
彭承, 盛篪, 孙恒慧. 单边分子束外延硅pn结C-V关系的新特点. 物理学报,
1988, 37(6): 1025-1029.
doi: 10.7498/aps.37.1025
|
[19] |
吴凤美, 赖启基, 沈波, 周国泉. 电子辐照硅层中缺陷能级的研究. 物理学报,
1986, 35(5): 638-642.
doi: 10.7498/aps.35.638
|
[20] |
蔡田海. 硅外延层解理面缺陷腐蚀坑的观察及初步分析. 物理学报,
1980, 29(2): 265-269.
doi: 10.7498/aps.29.265
|