[1] |
刘旭阳, 张贺秋, 李冰冰, 刘俊, 薛东阳, 王恒山, 梁红伟, 夏晓川. AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管温度传感器特性. 物理学报,
2020, 69(4): 047201.
doi: 10.7498/aps.69.20190640
|
[2] |
乔建良, 徐源, 高有堂, 牛军, 常本康. 反射式变掺杂负电子亲和势GaN光电阴极量子效率研究. 物理学报,
2017, 66(6): 067903.
doi: 10.7498/aps.66.067903
|
[3] |
刘阳, 柴常春, 于新海, 樊庆扬, 杨银堂, 席晓文, 刘胜北. GaN高电子迁移率晶体管强电磁脉冲损伤效应与机理. 物理学报,
2016, 65(3): 038402.
doi: 10.7498/aps.65.038402
|
[4] |
周楠, 郑强, 胡北辰, 石德权, 苗春雨, 马春雨, 梁红伟, 郝胜智, 张庆瑜. 表面态调控对GaN荧光光谱的影响. 物理学报,
2014, 63(13): 137802.
doi: 10.7498/aps.63.137802
|
[5] |
张明兰, 杨瑞霞, 李卓昕, 曹兴忠, 王宝义, 王晓晖. GaN厚膜中的质子辐照诱生缺陷研究. 物理学报,
2013, 62(11): 117103.
doi: 10.7498/aps.62.117103
|
[6] |
李倩倩, 郝秋艳, 李英, 刘国栋. 稀土元素(Ce, Pr)掺杂GaN的电子结构和光学性质的理论研究. 物理学报,
2013, 62(1): 017103.
doi: 10.7498/aps.62.017103
|
[7] |
李飙, 常本康, 徐源, 杜晓晴, 杜玉杰, 王晓晖, 张俊举. GaN 光电阴极的研究及其发展. 物理学报,
2011, 60(8): 088503.
doi: 10.7498/aps.60.088503
|
[8] |
乔建良, 常本康, 钱芸生, 高频, 王晓晖, 徐源. 负电子亲和势GaN真空面电子源研究进展. 物理学报,
2011, 60(10): 107901.
doi: 10.7498/aps.60.107901
|
[9] |
乔建良, 常本康, 钱芸生, 王晓晖, 李飙, 徐源. GaN真空面电子源光电发射机理研究. 物理学报,
2011, 60(12): 127901.
doi: 10.7498/aps.60.127901
|
[10] |
金豫浙, 胡益培, 曾祥华, 杨义军. GaN基多量子阱蓝光LED的γ辐照效应. 物理学报,
2010, 59(2): 1258-1262.
doi: 10.7498/aps.59.1258
|
[11] |
乔建良, 田思, 常本康, 杜晓晴, 高频. 负电子亲和势GaN光电阴极激活机理研究. 物理学报,
2009, 58(8): 5847-5851.
doi: 10.7498/aps.58.5847
|
[12] |
周 梅, 赵德刚. p-GaN层厚度对GaN基p-i-n结构紫外探测器性能的影响. 物理学报,
2008, 57(7): 4570-4574.
doi: 10.7498/aps.57.4570
|
[13] |
吕 玲, 龚 欣, 郝 跃. 感应耦合等离子体刻蚀p-GaN的表面特性. 物理学报,
2008, 57(2): 1128-1132.
doi: 10.7498/aps.57.1128
|
[14] |
宋淑芳, 陈维德, 许振嘉, 徐叙瑢. 掺Er/Pr的GaN薄膜深能级的研究. 物理学报,
2006, 55(3): 1407-1412.
doi: 10.7498/aps.55.1407
|
[15] |
蒙 康, 姜森林, 侯利娜, 李 蝉, 王 坤, 丁志博, 姚淑德. Mg+注入对GaN晶体辐射损伤的研究. 物理学报,
2006, 55(5): 2476-2481.
doi: 10.7498/aps.55.2476
|
[16] |
万 威, 唐春艳, 王玉梅, 李方华. GaN晶体中堆垛层错的高分辨电子显微像研究. 物理学报,
2005, 54(9): 4273-4278.
doi: 10.7498/aps.54.4273
|
[17] |
何军, 郑浩平. GaN及其Ga空位的电子结构. 物理学报,
2002, 51(11): 2580-2588.
doi: 10.7498/aps.51.2580
|
[18] |
郭宝增. 用全带Monte Carlo方法模拟纤锌矿相GaN和ZnO材料的电子输运特性. 物理学报,
2002, 51(10): 2344-2348.
doi: 10.7498/aps.51.2344
|
[19] |
谢长坤, 徐法强, 邓锐, 徐彭寿, 刘凤琴, K.Yibulaxin. GaN(0001)表面的电子结构研究. 物理学报,
2002, 51(11): 2606-2611.
doi: 10.7498/aps.51.2606
|
[20] |
张德恒, 刘云燕, 张德骏. 用MOCVD方法制备的n型GaN薄膜紫外光电导. 物理学报,
2001, 50(9): 1800-1804.
doi: 10.7498/aps.50.1800
|