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自组织生长InAs/GaAs量子点发光动力学研究

吕振东 李 晴 许继宗 郑宝真 徐仲英 葛惟锟

自组织生长InAs/GaAs量子点发光动力学研究

吕振东, 李 晴, 许继宗, 郑宝真, 徐仲英, 葛惟锟
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出版历程
  • 收稿日期:  1998-09-16
  • 修回日期:  1998-10-22
  • 刊出日期:  1999-04-20

自组织生长InAs/GaAs量子点发光动力学研究

  • 1. (1)半导体超晶格国家重点实验室,中国科学院半导体研究所,北京 100083; (2)香港科技大学物理系,九龙 香港
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:19574047)和国家攀登计划基础研究(批准号:970211003)资助的课题.

摘要: 介绍了最新发展的粒子数混合超快光谱测量技术,以及采用该技术对自组织生长InAs/GaAs量子点发光动力学的研究结果.实验发现,自组织InAs/GaAs量子点结构的发光寿命大约为1ns,与InAs层厚度关系不大;激子寿命与温度有一定的关系,但没有明显的实验证据表明与量子点的δ态密度有关;用粒子数混合技术,实验上可直接观察到量子点中载流子在激发态能级的态填充过程.

English Abstract

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