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4H-SiC n-MOSFET的高温特性分析

徐静平 李春霞 吴海平

4H-SiC n-MOSFET的高温特性分析

徐静平, 李春霞, 吴海平
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出版历程
  • 收稿日期:  2004-08-02
  • 修回日期:  2004-10-06
  • 刊出日期:  2005-06-08

4H-SiC n-MOSFET的高温特性分析

  • 1. 华中科技大学电子科学与技术系,武汉 430074
    基金项目: 

    国家自然科学基金项目(批准号: 60176030)资助的课题.

摘要: 通过考虑迁移率和阈值电压随温度的变化关系,模拟分析了4H-SiC n-MOSFET高温下的电学 特性,模拟结果与实验有较好的符合.并进一步讨论了主要结构参数和工艺参数对高温电特 性的影响及其最佳取值.

English Abstract

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