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InGaAs/InAlAs多量子阱脊形波导及定向耦合器光波特性准矢量分析

肖金标 马长峰 张明德 孙小菡

InGaAs/InAlAs多量子阱脊形波导及定向耦合器光波特性准矢量分析

肖金标, 马长峰, 张明德, 孙小菡
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出版历程
  • 收稿日期:  2005-05-05
  • 修回日期:  2005-06-06
  • 刊出日期:  2006-01-20

InGaAs/InAlAs多量子阱脊形波导及定向耦合器光波特性准矢量分析

  • 1. 东南大学电子工程系光子学与光通信研究室,南京 210096

摘要: 提出了一种基于级数展开的三维准矢量束传播法(SE-QV-BPM)用以分析由InGaAs/InAlAs多量子阱构成的脊形光波导及定向耦合器.结果表明,刻蚀深度相同时,TM模比TE模在水平方向限制强,且TM模的模场在波导角上出现畸变;波导间距相同时,定向耦合器TM波的耦合长度大于TE波的耦合长度,对偏振态敏感.分析获得了浅/深刻脊形光波导承载的准矢量TE/TM基模、定向耦合器承载的TE/TM偶/奇模的模场分布及其有效折射率,模拟了光场在定向耦合器中的传输演变情况.另外,SE-QV-BPM导出矩阵小,计算效率高

English Abstract

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