搜索

文章查询

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

微波ECR等离子体增强磁控溅射制备SiNx薄膜及其性能分析

丁万昱 徐 军 李艳琴 朴 勇 高 鹏 邓新绿 董 闯

微波ECR等离子体增强磁控溅射制备SiNx薄膜及其性能分析

丁万昱, 徐 军, 李艳琴, 朴 勇, 高 鹏, 邓新绿, 董 闯
PDF
导出引用
导出核心图
计量
  • 文章访问数:  3391
  • PDF下载量:  1564
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2005-05-24
  • 修回日期:  2005-09-12
  • 刊出日期:  2006-03-20

微波ECR等离子体增强磁控溅射制备SiNx薄膜及其性能分析

  • 1. 大连理工大学三束材料表面改性国家重点实验室,大连 116024
    基金项目: 

    国家自然科学基金重大项目(批准号:50390060)资助的课题.

摘要: 利用微波ECR磁控反应溅射法在室温下制备无氢SiNx薄膜.通过傅里叶红外光谱 、X射线电子谱、膜厚仪、纳米硬度仪、原子力显微镜等分析手段,分析了N2流 量、Si靶溅射功率等实验参数对SiNx薄膜结构、化学配比以及机械性质的影响. 结果表明,SiNx薄膜中Si-N结构、化学配比及机械性质与等离子体中的Si元素 含量关系密切,随着N2流量的增加或者Si靶溅射功率的降低,等离子体中的Si 元素含量降低,SiNx薄膜结构、化学配比及硬度发生变化,红外光谱发生偏移 ,硬度下降,沉积速率降低.

English Abstract

目录

    /

    返回文章
    返回