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基片温度对SiNx薄膜结晶状态及机械性能的影响

丁万昱 徐 军 陆文琪 邓新绿 董 闯

基片温度对SiNx薄膜结晶状态及机械性能的影响

丁万昱, 徐 军, 陆文琪, 邓新绿, 董 闯
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出版历程
  • 收稿日期:  2007-11-27
  • 修回日期:  2008-02-27
  • 刊出日期:  2008-08-20

基片温度对SiNx薄膜结晶状态及机械性能的影响

  • 1. (1)大连交通大学材料科学与工程学院,光电材料与器件研究所,大连 116028;大连理工大学三束材料改性国家重点实验室,大连 116024; (2)大连理工大学三束材料改性国家重点实验室,大连 116024
    基金项目: 

    国家自然科学基金重大项目(批准号:50390060)和国家自然科学基金(批准号:60576022,50572012)资助的课题.

摘要: 利用微波电子回旋共振增强磁控反应溅射法在不同基片温度下制备无氢SiNx薄膜.通过傅里叶变换红外光谱、透射电子显微镜、台阶仪、纳米硬度仪等表征技术,研究了基片温度对SiNx薄膜结晶状态、晶粒尺寸、晶体取向等结晶性能以及薄膜的生长速率、硬度等机械性能的影响,并探讨了薄膜结晶性能与机械性能之间的关系.研究结果表明,在基片温度低于300℃时制备的SiNx薄膜以非晶状态存在,硬度值仅为18GPa左右;基片温度

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