搜索

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

Si(001)表面硅氧团簇原子与电子结构的第一性原理研究

杨春 杨冲

Si(001)表面硅氧团簇原子与电子结构的第一性原理研究

杨春, 杨冲
PDF
导出引用
导出核心图
计量
  • 文章访问数:  2722
  • PDF下载量:  1499
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2008-07-18
  • 修回日期:  2008-11-11
  • 刊出日期:  2009-04-05

Si(001)表面硅氧团簇原子与电子结构的第一性原理研究

  • 1. (1)四川师范大学可视化计算与虚拟现实四川省重点实验室,成都 610068;电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都 610054; (2)四川师范大学可视化计算与虚拟现实四川省重点实验室,成都 610068;四川师范大学物理与电子工程学院,成都 610068
    基金项目: 

    国家重点基础研究发展计划项目子课题(批准号: 61363Z01.3)和四川省青年科技基金(批准号: 07ZQ026-021)资助的课题.

摘要: 在周期性边界条件下的k空间中,采用基于密度泛函理论的第一性原理广义梯度近似方法,对建立的规则对称型结构(A)、周期性非对称型结构(B)、周期性非对称型结构(C)、不规则型结构(D)四种可能的Si(001)表面硅氧团簇的结构模型进行了优化计算.结果表明优化后的表面结构呈无定形状,并且优化后的B,C,D三种模型的表面结构具有类似SiO2的四面体结构的几何特征.此外,通过电子局域函数图以及Mulliken布居分析发现硅氧团簇中的Si—O键既有明显的离子键成分,也有一定的共价键成分.

English Abstract

目录

    /

    返回文章
    返回