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应变Si/Si1-xGex n型金属氧化物半导体场效应晶体管反型层中的电子迁移率模型

李斌 刘红侠 袁博 李劲 卢凤铭

应变Si/Si1-xGex n型金属氧化物半导体场效应晶体管反型层中的电子迁移率模型

李斌, 刘红侠, 袁博, 李劲, 卢凤铭
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  • 为了描述生长在弛豫Si1-xGex层上应变Si n型金属氧化物半导体场效应晶体管(nMOSFETs)反型层中电子迁移率的增强机理,提出了一种新型的、基于物理的电子迁移率模型.该模型不仅能够反映声学声子散射迁移率、表面粗糙度散射迁移率与垂直于半导体-绝缘体界面的电场强度之间的依赖关系,而且也能解释不同的锗组分对两种散射机理的抑制情况从而引起电子迁移率增强的机理.该模型数学表达式简单,可以模拟任意锗组分下的迁移率.通过数值分析验证得出,该
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号: 60976068, 60936005), 教育部科技创新工程重大项目培育基金(批准号:708083)和中央高校基本科研业务费专项基金(批准号: 200807010010)资助的课题.
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    Sun S C, Plummer J D 1980 IEEE Trans. Electron Devices 27 1497

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出版历程
  • 收稿日期:  2010-04-02
  • 修回日期:  2010-04-09
  • 刊出日期:  2011-01-15

应变Si/Si1-xGex n型金属氧化物半导体场效应晶体管反型层中的电子迁移率模型

  • 1. 西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安 710071
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号: 60976068, 60936005), 教育部科技创新工程重大项目培育基金(批准号:708083)和中央高校基本科研业务费专项基金(批准号: 200807010010)资助的课题.

摘要: 为了描述生长在弛豫Si1-xGex层上应变Si n型金属氧化物半导体场效应晶体管(nMOSFETs)反型层中电子迁移率的增强机理,提出了一种新型的、基于物理的电子迁移率模型.该模型不仅能够反映声学声子散射迁移率、表面粗糙度散射迁移率与垂直于半导体-绝缘体界面的电场强度之间的依赖关系,而且也能解释不同的锗组分对两种散射机理的抑制情况从而引起电子迁移率增强的机理.该模型数学表达式简单,可以模拟任意锗组分下的迁移率.通过数值分析验证得出,该

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