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工作压强对硅掺杂辉光放电聚合物结构和性能的影响

张颖 何智兵 闫建成 李萍 唐永建

工作压强对硅掺杂辉光放电聚合物结构和性能的影响

张颖, 何智兵, 闫建成, 李萍, 唐永建
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出版历程
  • 收稿日期:  2010-08-12
  • 修回日期:  2010-09-30
  • 刊出日期:  2011-03-05

工作压强对硅掺杂辉光放电聚合物结构和性能的影响

  • 1. (1)四川大学原子与分子物理研究所,成都 610065; (2)四川大学原子与分子物理研究所,成都 610065;中国工程物理研究院激光聚变研究中心,绵阳 621900; (3)中国工程物理研究院激光聚变研究中心,绵阳 621900

摘要: 采用辉光放电聚合技术,在不同工作压强条件下制备了掺硅的辉光放电聚合物(Si-GDP)薄膜.并采用傅里叶变换红外吸收光谱和X射线光电子能谱(XPS)对Si-GDP薄膜进行了表征,分析了压强变化对其内部结构及成分的影响.利用紫外—可见光谱对Si-GDP薄膜的光学带隙进行了分析.结果表明:Si-GDP薄膜中Si元素主要以Si—C,Si—H,Si—O,Si—CH3的键合形式存在;随着工作压强的增大,薄膜中Si—C键相对含量先减小后增加;从Si-GDP薄膜的XPS分析可以发现,C—C与C C含

English Abstract

参考文献 (17)

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