搜索

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

脉冲磁场对水热法制备Mn掺杂ZnO稀磁半导体的影响

王世伟 朱明原 钟民 刘聪 李瑛 胡业旻 金红明

脉冲磁场对水热法制备Mn掺杂ZnO稀磁半导体的影响

王世伟, 朱明原, 钟民, 刘聪, 李瑛, 胡业旻, 金红明
PDF
导出引用
  • 本文以Zn(CH3COO)22H2O, Mn(CH3COO)24H2O和氨水缓冲溶液为原料, 在4 T脉冲磁场下利用水热法制备了Mn掺杂ZnO稀磁半导体晶体, 通过X射线衍射、 扫描电子显微镜、透射电子显微镜、拉曼光谱、荧光分光光度计及振动样品磁强计等对样品的微观结构及磁性能等进行了表征, 结果表明: Mn掺杂ZnO稀磁半导体晶体仍保持ZnO六方纤锌矿结构, 4 T脉冲磁场下合成的Mn掺杂ZnO稀磁半导体晶体具有明显的室温铁磁性, 其饱和磁化强度(Ms)为0.028 emu/g, 比无脉冲磁场下制备的样品提高一倍以上, 且4 T 脉冲磁场将样品的居里温度提高了15 K.
    • 基金项目: 上海市科委项目(批准号: 11nm0501600, 09dz1203602)和上海市重点学科建设项目 (批准号: S30107)资助的课题.
    [1]

    Wolf S A, Awschalom D D, Buhrman R A, Daughton J M, Molnár S von, Roukes M L, Chtchelkanova A Y, Treger D M 2001 Science 294 1488

    [2]

    Matsumoto Y, Murakami M, Shono T, Hasegawa T, Fukumura T, Kawasaki M, Ahmet P, Chikyow T, Koshihara S, Koinuma H 2001 Science 291 854

    [3]

    Chiba D, Yamanouchi M, Matsukura F, Ohno H 2003 Science 301 943

    [4]

    Dietl T, Ohno H, Matsukura F, Cibert J, Ferrand D 2000 Science 287 1019

    [5]

    Sato K, Katayama-Yoshida H 2001 Jpn. J. Appl. Phys. 40 L334

    [6]

    Liu X C, Shi E W, Song L X, Zhang H W, Chen Z Z 2006 Acta Phys. Sin. 55 2557 (in Chinese) [刘学超, 施尔畏, 宋力昕, 张华伟, 陈之战 2006 物理学报 55 2557]

    [7]

    Yang J J, Fang Q Q, Wang B M, Wang C P, Zhou J, Li Y, Liu Y M, Lü Q R 2007 Acta Phys. Sin. 56 1116 (in Chinese) [杨景景, 方庆清, 王保明, 王翠平, 周军, 李雁, 刘艳美, 吕庆荣 2007 物理学报 56 1116]

    [8]

    Yu Z, Li X, Long X, Cheng X W, Wang J Y, Liu Y, Cao M S, Wang F C 2008 Acta Phys. Sin. 57 4539 (in Chinese) [于宙, 李祥, 龙雪, 程兴旺, 王晶云, 刘颖, 曹茂盛, 王富耻 2008 物理学报 57 4539]

    [9]

    Zheng W L, Li Z W, Wei Z R 2005 Physics Experimentation (in Chinese) [郑文礼, 李志文, 韦志仁 2005 物理实验 25 16]

    [10]

    Zhang H W, Shi E W, Chen Z Z, Liu X C, Xiao B 2006 Solid State Communications 137 272

    [11]

    Huang G J, Wang J B, Zhong X L, Zhou G C 2007 Journal of Optoelectronics·Laser 18 597 (in Chinese) [黄贵军, 王金斌, 钟向丽, 周功程 2007光电子·激光 18 597]

    [12]

    Jayakumar O D, Salunke H G, Kadam R M, Mohapatra M 2006 Nanotechnology 17 1278

    [13]

    Mukadam M D, Yusuf S M 2008 Physica B 403 2602

    [14]

    Wang Z H, Geng D Y, Zhang Z D 2009 Solid State Communications 149 682

    [15]

    Li Y B, Li Y, Zhu M Y, Yang T, Huang J, Jin H M, Hu Y M 2010 Solid State Commun. 150 751

    [16]

    Huang J, Zhu M Y, Li Y, Yang T, Li Y B, Jin H M, Hu Y M 2010 J. Nanosci. Nanotechno. 10 7303

    [17]

    Yang T, Li Y, Zhu M Y, Li Y B, Huang J, Jin H M, Hu Y M 2010 Mater. Sci. Eng. B 170 129

    [18]

    Chu D W, Zeng Y P, Jiang D L 2007 Solid State Commun. 143 308

    [19]

    Bundesmann C, Ashkenov N, Schubert M, Spemann D, Butz T, Kaidashev E M, Lorenz M, Grundmann M 2003 Appl. Phys. Lett. 83 1974

    [20]

    Wang X Q, Yang S R, Wang J Z, Li M T, Jiang X Y, Du G T, Liu X, Chang R P H 2001 J. Cryst. Growth. 226 123

    [21]

    Dieti T, Haury A, dAubigne Y M 1997 Physical Review B 55 R3347

    [22]

    Pearton S J, Norton D P, Norton D P, Hebard A F, Park Y D, Boatner L A, Budai J D 2003 Mat. Sci. Eng. R 40 137

  • [1]

    Wolf S A, Awschalom D D, Buhrman R A, Daughton J M, Molnár S von, Roukes M L, Chtchelkanova A Y, Treger D M 2001 Science 294 1488

    [2]

    Matsumoto Y, Murakami M, Shono T, Hasegawa T, Fukumura T, Kawasaki M, Ahmet P, Chikyow T, Koshihara S, Koinuma H 2001 Science 291 854

    [3]

    Chiba D, Yamanouchi M, Matsukura F, Ohno H 2003 Science 301 943

    [4]

    Dietl T, Ohno H, Matsukura F, Cibert J, Ferrand D 2000 Science 287 1019

    [5]

    Sato K, Katayama-Yoshida H 2001 Jpn. J. Appl. Phys. 40 L334

    [6]

    Liu X C, Shi E W, Song L X, Zhang H W, Chen Z Z 2006 Acta Phys. Sin. 55 2557 (in Chinese) [刘学超, 施尔畏, 宋力昕, 张华伟, 陈之战 2006 物理学报 55 2557]

    [7]

    Yang J J, Fang Q Q, Wang B M, Wang C P, Zhou J, Li Y, Liu Y M, Lü Q R 2007 Acta Phys. Sin. 56 1116 (in Chinese) [杨景景, 方庆清, 王保明, 王翠平, 周军, 李雁, 刘艳美, 吕庆荣 2007 物理学报 56 1116]

    [8]

    Yu Z, Li X, Long X, Cheng X W, Wang J Y, Liu Y, Cao M S, Wang F C 2008 Acta Phys. Sin. 57 4539 (in Chinese) [于宙, 李祥, 龙雪, 程兴旺, 王晶云, 刘颖, 曹茂盛, 王富耻 2008 物理学报 57 4539]

    [9]

    Zheng W L, Li Z W, Wei Z R 2005 Physics Experimentation (in Chinese) [郑文礼, 李志文, 韦志仁 2005 物理实验 25 16]

    [10]

    Zhang H W, Shi E W, Chen Z Z, Liu X C, Xiao B 2006 Solid State Communications 137 272

    [11]

    Huang G J, Wang J B, Zhong X L, Zhou G C 2007 Journal of Optoelectronics·Laser 18 597 (in Chinese) [黄贵军, 王金斌, 钟向丽, 周功程 2007光电子·激光 18 597]

    [12]

    Jayakumar O D, Salunke H G, Kadam R M, Mohapatra M 2006 Nanotechnology 17 1278

    [13]

    Mukadam M D, Yusuf S M 2008 Physica B 403 2602

    [14]

    Wang Z H, Geng D Y, Zhang Z D 2009 Solid State Communications 149 682

    [15]

    Li Y B, Li Y, Zhu M Y, Yang T, Huang J, Jin H M, Hu Y M 2010 Solid State Commun. 150 751

    [16]

    Huang J, Zhu M Y, Li Y, Yang T, Li Y B, Jin H M, Hu Y M 2010 J. Nanosci. Nanotechno. 10 7303

    [17]

    Yang T, Li Y, Zhu M Y, Li Y B, Huang J, Jin H M, Hu Y M 2010 Mater. Sci. Eng. B 170 129

    [18]

    Chu D W, Zeng Y P, Jiang D L 2007 Solid State Commun. 143 308

    [19]

    Bundesmann C, Ashkenov N, Schubert M, Spemann D, Butz T, Kaidashev E M, Lorenz M, Grundmann M 2003 Appl. Phys. Lett. 83 1974

    [20]

    Wang X Q, Yang S R, Wang J Z, Li M T, Jiang X Y, Du G T, Liu X, Chang R P H 2001 J. Cryst. Growth. 226 123

    [21]

    Dieti T, Haury A, dAubigne Y M 1997 Physical Review B 55 R3347

    [22]

    Pearton S J, Norton D P, Norton D P, Hebard A F, Park Y D, Boatner L A, Budai J D 2003 Mat. Sci. Eng. R 40 137

  • 引用本文:
    Citation:
计量
  • 文章访问数:  2632
  • PDF下载量:  471
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2012-01-05
  • 修回日期:  2012-04-01

脉冲磁场对水热法制备Mn掺杂ZnO稀磁半导体的影响

  • 1. 上海大学微结构重点实验室, 上海大学材料科学与工程学院, 上海 200072
    基金项目: 

    上海市科委项目(批准号: 11nm0501600, 09dz1203602)和上海市重点学科建设项目 (批准号: S30107)资助的课题.

摘要: 本文以Zn(CH3COO)22H2O, Mn(CH3COO)24H2O和氨水缓冲溶液为原料, 在4 T脉冲磁场下利用水热法制备了Mn掺杂ZnO稀磁半导体晶体, 通过X射线衍射、 扫描电子显微镜、透射电子显微镜、拉曼光谱、荧光分光光度计及振动样品磁强计等对样品的微观结构及磁性能等进行了表征, 结果表明: Mn掺杂ZnO稀磁半导体晶体仍保持ZnO六方纤锌矿结构, 4 T脉冲磁场下合成的Mn掺杂ZnO稀磁半导体晶体具有明显的室温铁磁性, 其饱和磁化强度(Ms)为0.028 emu/g, 比无脉冲磁场下制备的样品提高一倍以上, 且4 T 脉冲磁场将样品的居里温度提高了15 K.

English Abstract

参考文献 (22)

目录

    /

    返回文章
    返回