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GaN基LED量子阱内量子点发光性质的模拟分析

王度阳 孙慧卿 解晓宇 张盼君

GaN基LED量子阱内量子点发光性质的模拟分析

王度阳, 孙慧卿, 解晓宇, 张盼君
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出版历程
  • 收稿日期:  2012-05-15
  • 修回日期:  2012-06-13
  • 刊出日期:  2012-11-05

GaN基LED量子阱内量子点发光性质的模拟分析

  • 1. 华南师范大学,光电子材料与技术研究所,广东省微纳光子功能材料与器件重点实验室, 广州 510631
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:60877069)和广东省战略性新兴产业专项资金LED产业项目 (批准号: 2011A081301004, 2012A080304006)资助的课题.

摘要: 采用模拟计算的方法,运用量子点模型对GaN基LED器件中不同尺寸量子点的电致发光光谱进行模拟分析,并对器件结构中电子空穴浓度,辐射复合强度进行了研究.分析结果显示,随着量子点尺寸的增大,量子点发光波长存在红移,当圆柱状量子点半径从1.8 nm增长到13 nm时,波长红移309.6 meV,在量子阱中生长单一尺寸的量子点可以达到不同波长的单色发光器件,而在不同量子阱中生长不同尺寸的量子点可以实现多波长发光,以及单颗LED的白色显示,并通过调节量子点的分布密度达到调节各发光波长强度的目的.结果表明, 量子点分布密度调节之后多波长发光均匀性得到有效改善.

English Abstract

参考文献 (14)

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