搜索

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

甚高频等离子体增强化学气相沉积法沉积μc-Si∶H薄膜中氧污染的初步研究

杨恢东 吴春亚 赵 颖 薛俊明 耿新华 熊绍珍

甚高频等离子体增强化学气相沉积法沉积μc-Si∶H薄膜中氧污染的初步研究

杨恢东, 吴春亚, 赵 颖, 薛俊明, 耿新华, 熊绍珍
PDF
导出引用
导出核心图
  • 对不同的本底真空条件下,采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术沉积的氢化微晶硅(μc_Si∶H)薄膜中的氧污染问题进行了比较研究.对不同氧污染条件下制备的薄膜样品的x射线光电子能谱与傅里叶变换红外吸收光谱测量结果表明:μc_Si∶H薄膜中,氧以Si—O,O—O和O—H三种不同的键合模式存在,不同的键合模式源自不同的物理机理.μc_Si∶H薄膜的Raman光谱、电导率与激活能的测量结果进一步显示:沉积过程中氧污染程度的不同,对μc_Si∶H薄膜的结构特性与电学特性产生显著影响;而不同氧污染对μc_Si∶H薄膜电学特性的影响不同于氢化非晶硅(a_Si:H)薄膜.
    • 基金项目: 国家重点基础研究发展规划项目(批准号:G2000028202和G2000028203)和国家高技术研 究发展计划(批准号:2002AA303260)资助的课题.
  • 引用本文:
    Citation:
计量
  • 文章访问数:  3258
  • PDF下载量:  954
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2002-11-29
  • 修回日期:  2003-03-18
  • 刊出日期:  2003-11-20

甚高频等离子体增强化学气相沉积法沉积μc-Si∶H薄膜中氧污染的初步研究

  • 1. (1)南开大学光电子研究所,天津 300071; (2)南开大学光电子研究所,天津 300071;五邑大学薄膜与纳米材料研究所,江门 529020;东华大学理学院,上海 200051
    基金项目: 

    国家重点基础研究发展规划项目(批准号:G2000028202和G2000028203)和国家高技术研 究发展计划(批准号:2002AA303260)资助的课题.

摘要: 对不同的本底真空条件下,采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术沉积的氢化微晶硅(μc_Si∶H)薄膜中的氧污染问题进行了比较研究.对不同氧污染条件下制备的薄膜样品的x射线光电子能谱与傅里叶变换红外吸收光谱测量结果表明:μc_Si∶H薄膜中,氧以Si—O,O—O和O—H三种不同的键合模式存在,不同的键合模式源自不同的物理机理.μc_Si∶H薄膜的Raman光谱、电导率与激活能的测量结果进一步显示:沉积过程中氧污染程度的不同,对μc_Si∶H薄膜的结构特性与电学特性产生显著影响;而不同氧污染对μc_Si∶H薄膜电学特性的影响不同于氢化非晶硅(a_Si:H)薄膜.

English Abstract

目录

    /

    返回文章
    返回