搜索

文章查询

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

In0.15Ga0.85As—GaAs应力层多量子阱中束缚子带—连续带跃迁

方晓明 沈学础 侯宏启 冯巍 周均铭

In0.15Ga0.85As—GaAs应力层多量子阱中束缚子带—连续带跃迁

方晓明, 沈学础, 侯宏启, 冯巍, 周均铭
PDF
导出引用
导出核心图
计量
  • 文章访问数:  2363
  • PDF下载量:  838
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  1989-06-15
  • 刊出日期:  2005-06-22

In0.15Ga0.85As—GaAs应力层多量子阱中束缚子带—连续带跃迁

  • 1. (1)中国科学院上海技术物理研究所红外物理开放研究实验室,上海,200083; (2)中国科学院物理研究所,北京,100080

摘要: 在10—300K温度范围,研究了稳态发光二极管(LED)辐照对15周期的In0.15Ga0.85As(8nm)-CaAs(15nm)应力层多量子阱的光电流谱的影响。各跃迁过程对应的光电流峰的强度随LED光强的增大而减弱,并且具有不同的变化规律。据此可区分出束缚子带和连续带间的跃迁及其亚结构,并由跃迁的能量位置,直接确定导带和价带的不连续量,得出重空穴价带的能带台阶Qv=0.38±0.01。

English Abstract

目录

    /

    返回文章
    返回