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分子束外延生长的赝配高电子迁移率晶体管结构中深能级的研究

卢励吾 周洁 梁基本 孔梅影

分子束外延生长的赝配高电子迁移率晶体管结构中深能级的研究

卢励吾, 周洁, 梁基本, 孔梅影
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出版历程
  • 收稿日期:  1992-05-03
  • 刊出日期:  2005-07-10

分子束外延生长的赝配高电子迁移率晶体管结构中深能级的研究

  • 1. (1)半导体超晶格国家重点实验室中国科学院半导体研究所,北京100083; (2)中国科学院半导体材料科学实验室,北京100083; (3)中国科学院半导体研究所,北京100083

摘要: 应用深能级瞬态谱(DLTS)技术详细研究分子束外延生长的Pseudomorphic—high electron mobility transistor(P-HEMT)结构中深能级行为。样品的DLTS表明,在P-HEMT结构的n-AlGaAs层里存在着较大浓度(1015-1017cm-3和俘获截面(10-16cm2)的高温电子陷阱。它们直接影响着器件性能。高温电子陷阱的产生可能与AlGaAs层里的氧

English Abstract

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