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自组织InAs/GaAs量子点垂直排列生长研究

王志明 封松林 吕振东 杨小平 陈宗圭 宋春英 徐仲英 郑厚植 王凤莲 韩培德 段晓峰

自组织InAs/GaAs量子点垂直排列生长研究

王志明, 封松林, 吕振东, 杨小平, 陈宗圭, 宋春英, 徐仲英, 郑厚植, 王凤莲, 韩培德, 段晓峰
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出版历程
  • 收稿日期:  1997-04-01
  • 刊出日期:  1998-01-20

自组织InAs/GaAs量子点垂直排列生长研究

  • 1. (1)中国科学院半导体研究所超晶格微结构国家重点实验室,北京 100083; (2)中国科学院北京电子显微镜实验室,北京 100080
    基金项目: 

    国家自然科学基金和国家攀登计划资助的课题.

摘要: 利用自组织生长InAs/GaAs量子点的垂直相关排列机制,生长了上下两层用6.5nm GaAs间隔的InAs结构.下层InAs已经成岛,由于应力传递效应,上层InAs由二维生长向三维成岛生长的转变提前发生,临界厚度从1.7ML变成小于1.5ML.透射电子显微镜截面象显示形成上下两层高度差别很大的InAs量子点,但是由于两层量子点之间存在强烈的电子耦合,光致发光谱中只有与包含大量子点的InAs层相对应的一个发光峰.

English Abstract

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