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共溅射和离子注入制备的SiO2(Eu)薄膜中Eu3+到Eu2+的转变

刘丰珍 朱美芳 李秉程 刘涛

共溅射和离子注入制备的SiO2(Eu)薄膜中Eu3+到Eu2+的转变

刘丰珍, 朱美芳, 李秉程, 刘涛
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出版历程
  • 收稿日期:  2000-07-18
  • 修回日期:  2000-10-13
  • 刊出日期:  2001-03-20

共溅射和离子注入制备的SiO2(Eu)薄膜中Eu3+到Eu2+的转变

  • 1. (1)中国科学技术大学研究生院物理系,稀土化学及应用国家重点实验室,北京100039; (2)中国科学院半导体研究所,北京100083; (3)中国科学院高能物理研究所同步辐射实验室,北京100039

摘要: 采用共溅射方法和Eu离子注入热生长的SiO2方法得到SiO2(Eu)薄膜,Eu离子的浓度为4%和0.5%.对样品X射线吸收近边结构(XANES)的研究和分析表明,在高温氮气中发生了Eu3+向Eu2+的转变.SiO2(Eu)薄膜高温氮气退火下蓝光的发射证明了这一结论

English Abstract

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