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溶胶凝胶法制备高性能锆铝氧化物作为绝缘层的薄膜晶体管

高娅娜 李喜峰 张建华

溶胶凝胶法制备高性能锆铝氧化物作为绝缘层的薄膜晶体管

高娅娜, 李喜峰, 张建华
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  • 本文采用溶胶凝胶法制备了锆掺杂铝氧化物(锆铝氧化物)和铪铟锌氧化物薄膜,并用于制造薄膜晶体管的绝缘层和有源层. 锆铝氧化物绝缘层具有较高的介电常数,其相对介电常数为19.67,且薄膜表面光滑,致密,其表面粗糙度仅为0.31 nm. 获得的薄膜晶体管具备良好的器件性能,当器件宽长比为5时,器件的饱和迁移率为21.3 cm2/V·s,阈值电压为0.3 V,开关比可以达到4.3×107,亚阈值摆幅仅有0.32 V/dec.
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号:61006005)和上海科学技术委员会项目(批准号:13520500200)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2014-01-02
  • 修回日期:  2014-02-25
  • 刊出日期:  2014-06-05

溶胶凝胶法制备高性能锆铝氧化物作为绝缘层的薄膜晶体管

  • 1. 上海大学, 新型显示技术与应用集成教育部重点实验室, 上海 200072
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:61006005)和上海科学技术委员会项目(批准号:13520500200)资助的课题.

摘要: 本文采用溶胶凝胶法制备了锆掺杂铝氧化物(锆铝氧化物)和铪铟锌氧化物薄膜,并用于制造薄膜晶体管的绝缘层和有源层. 锆铝氧化物绝缘层具有较高的介电常数,其相对介电常数为19.67,且薄膜表面光滑,致密,其表面粗糙度仅为0.31 nm. 获得的薄膜晶体管具备良好的器件性能,当器件宽长比为5时,器件的饱和迁移率为21.3 cm2/V·s,阈值电压为0.3 V,开关比可以达到4.3×107,亚阈值摆幅仅有0.32 V/dec.

English Abstract

参考文献 (24)

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