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Al0.17Ga0.83As/GaAs(001)薄膜退火过程的热力学分析

王一 杨晨 郭祥 王继红 刘雪飞 魏节敏 郎啟智 罗子江 丁召

Al0.17Ga0.83As/GaAs(001)薄膜退火过程的热力学分析

王一, 杨晨, 郭祥, 王继红, 刘雪飞, 魏节敏, 郎啟智, 罗子江, 丁召
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  • 在As4束流等效压强为1.210-3 Pa、退火60 min条件下改变退火温度,对Al0.17Ga0.83As/GaAs薄膜表面平坦化的条件进行了探讨.定量分析了薄膜表面坑、岛与平台的覆盖率和台阶-平台间薄膜粗糙度随退火温度变化的规律,得到最合适的退火温度为545℃(1℃);根据退火模型发现退火温度的改变会影响参与熟化的原子的数量,熟化原子比正比于退火温度,即 T.退火温度540℃条件下退火约60 min,薄膜表面达到基本平坦,推测此时0.20 0.25;退火温度为545℃时,推测退火时间约为5560 min.本实验得到的结论可以为生长平坦的Al0.17Ga0.83As/GaAs薄膜提供理论与实验指导.
      通信作者: 丁召, zding@gzu.edu.cn
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号:61564002,11664005,61604046)和贵州省科学技术基金(批准号:黔科合J字[2014]2046,黔科合LH字[2016]7436,黔科合基础[2017]1055)资助的课题.
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    Wei W Z, Guo X, Liu K, Wang Y, Luo Z J, Zhou Q, Wang J H, Ding Z 2013 Acta Phys. Sin. 62 226801 (in Chinese)[魏文喆, 郭祥, 刘珂, 王一, 罗子江, 周清, 王继红, 丁召 2013 物理学报 62 226801]

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    Alperovich V L, Akhundov I O, Rudaya N S, Sheglov D V, Rodyakina E E, Latyshev A V 2009 Appl. Phys. Lett. 94 101908

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出版历程
  • 收稿日期:  2017-12-22
  • 修回日期:  2018-02-02
  • 刊出日期:  2018-04-20

Al0.17Ga0.83As/GaAs(001)薄膜退火过程的热力学分析

  • 1. 贵州大学大数据与信息工程院, 贵阳 550025;
  • 2. 贵州财经大学教育管理学院, 贵阳 550025;
  • 3. 教育部半导体功率器件可靠性工程中心, 贵阳 550025;
  • 4. 贵州省微纳电子与软件技术重点实验室, 贵阳 550025
  • 通信作者: 丁召, zding@gzu.edu.cn
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:61564002,11664005,61604046)和贵州省科学技术基金(批准号:黔科合J字[2014]2046,黔科合LH字[2016]7436,黔科合基础[2017]1055)资助的课题.

摘要: 在As4束流等效压强为1.210-3 Pa、退火60 min条件下改变退火温度,对Al0.17Ga0.83As/GaAs薄膜表面平坦化的条件进行了探讨.定量分析了薄膜表面坑、岛与平台的覆盖率和台阶-平台间薄膜粗糙度随退火温度变化的规律,得到最合适的退火温度为545℃(1℃);根据退火模型发现退火温度的改变会影响参与熟化的原子的数量,熟化原子比正比于退火温度,即 T.退火温度540℃条件下退火约60 min,薄膜表面达到基本平坦,推测此时0.20 0.25;退火温度为545℃时,推测退火时间约为5560 min.本实验得到的结论可以为生长平坦的Al0.17Ga0.83As/GaAs薄膜提供理论与实验指导.

English Abstract

参考文献 (22)

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