| [1] |
杨庆龄, 陈奕仪, 吴幸, 沈国瑞, 孙立涛. Cu/Al引线键合界面金属间化合物生长过程的原位实验研究. 物理学报,
2015, 64(21): 216804.
doi: 10.7498/aps.64.216804
|
| [2] |
文平, 李春福, 赵毅, 张凤春, 童丽华. Cr,Mo,Ni在α-Fe（C）中占位、键合性质及合金化效应的第一性原理研究. 物理学报,
2014, 63(19): 197101.
doi: 10.7498/aps.63.197101
|
| [3] |
彭红玲, 张玮, 孙利杰, 马绍栋, 石岩, 渠红伟, 张冶金, 郑婉华. 直接键合的三结太阳能电池研究. 物理学报,
2014, 63(17): 178801.
doi: 10.7498/aps.63.178801
|
| [4] |
梁培, 刘阳, 王乐, 吴珂, 董前民, 李晓艳. 表面悬挂键导致硅纳米线掺杂失效机理的第一性原理研究. 物理学报,
2012, 61(15): 153102.
doi: 10.7498/aps.61.153102
|
| [5] |
张姗, 胡晓宁. Si基碲镉汞光伏探测器的深能级研究. 物理学报,
2011, 60(6): 068502.
doi: 10.7498/aps.60.068502
|
| [6] |
刘君民, 孙立忠, 陈元平, 张凯旺, 袁辉球, 钟建新. 镧铱硅电子结构与成键机理的第一性原理研究. 物理学报,
2009, 58(11): 7826-7832.
doi: 10.7498/aps.58.7826
|
| [7] |
黎兵, 刘才, 冯良桓, 张静全, 郑家贵, 蔡亚平, 蔡伟, 武莉莉, 李卫, 雷智, 曾广根, 夏庚培. CdS/CdTe薄膜太阳电池的深能级瞬态谱和光致发光研究. 物理学报,
2009, 58(3): 1987-1991.
doi: 10.7498/aps.58.1987
|
| [8] |
陈城钊, 李平, 林璇英, 刘翠青, 邱胜桦, 吴燕丹, 余楚迎. 纳米晶硅薄膜中氢含量及键合模式的红外分析. 物理学报,
2009, 58(4): 2565-2571.
doi: 10.7498/aps.58.2565
|
| [9] |
于 威, 李亚超, 丁文革, 张江勇, 杨彦斌, 傅广生. 氮化硅薄膜中纳米非晶硅颗粒的键合结构及光致发光. 物理学报,
2008, 57(6): 3661-3665.
doi: 10.7498/aps.57.3661
|
| [10] |
何国荣, 郑婉华, 渠红伟, 杨国华, 王 青, 曹玉莲, 陈良惠. 键合界面对面发射激光器光与热性质的影响. 物理学报,
2008, 57(3): 1840-1845.
doi: 10.7498/aps.57.1840
|
| [11] |
宋淑芳, 陈维德, 许振嘉, 徐叙瑢. 掺Er/Pr的GaN薄膜深能级的研究. 物理学报,
2006, 55(3): 1407-1412.
doi: 10.7498/aps.55.1407
|
| [12] |
于 威, 张 立, 王保柱, 路万兵, 王利伟, 傅广生. 氢化纳米硅薄膜中氢的键合特征及其能带结构分析. 物理学报,
2006, 55(4): 1936-1941.
doi: 10.7498/aps.55.1936
|
| [13] |
劳燕锋, 吴惠桢. 直接键合InP-GaAs结构界面的特性研究. 物理学报,
2005, 54(9): 4334-4339.
doi: 10.7498/aps.54.4334
|
| [14] |
罗 志, 林璇英, 林舜辉, 余楚迎, 林揆训, 余云鹏, 谭伟锋. 氢化非晶硅薄膜中氢含量及键合模式的红外分析. 物理学报,
2003, 52(1): 169-174.
doi: 10.7498/aps.52.169
|
| [15] |
袁先漳, 裴慧元, 陆卫, 李宁, 史国良, 方家熊, 沈学础. Zn0.04Cd0.96Te中深能级的红外光电导谱研究. 物理学报,
2001, 50(4): 775-778.
doi: 10.7498/aps.50.775
|
| [16] |
高山虎, 张云, 荀坤, 赵汝光, 杨威生. 用可调探深的电子能量损失谱研究Sn/Si界面. 物理学报,
1993, 42(8): 1290-1296.
doi: 10.7498/aps.42.1290
|
| [17] |
陈开茅, 金泗轩, 武兰青, 曾树荣, 刘鸿飞. 在p型硅MOS结构Si/SiO2界面区中与金有关的界面态和深能级. 物理学报,
1993, 42(8): 1324-1332.
doi: 10.7498/aps.42.1324
|
| [18] |
邱素娟, 陈开茅, 武兰青. 注硅半绝缘GaAs的深能级. 物理学报,
1993, 42(8): 1304-1310.
doi: 10.7498/aps.42.1304
|
| [19] |
陈开茅, 武兰青, 彭清智, 刘鸿飞. p型硅MOS结构Si/SiO2界面及其附近的深能级与界面态. 物理学报,
1992, 41(11): 1870-1879.
doi: 10.7498/aps.41.1870
|
| [20] |
杜永昌, 张玉峰, 秦国刚, 孟祥提. 中子辐照含氢硅中的与氢有关的深能级缺陷. 物理学报,
1984, 33(4): 477-485.
doi: 10.7498/aps.33.477
|
下载:
