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α-SiC“非汉字符号”表面结构的第一性原理计算

谢长坤 徐彭寿 徐法强 潘海斌

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α-SiC“非汉字符号”表面结构的第一性原理计算

谢长坤, 徐彭寿, 徐法强, 潘海斌

First principlesstudyonα SiC (1 0 1 0 )surfacestructure

Xie Chang-Kun, Xu Peng-Shou, Xu Fa-Qiang, Pan Hai-Bin
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  • 用全势缀加平面波方法(FPLAPW)计算了αSiC及其非极性(1010)表面的原子与电子结构.计算出的αSiC晶体结构参量:晶格常量和体积弹性模量与实验值符合得很好.用平板超原胞模型来计算αSiC(1010)表面的原子与电子结构,结果表明表面顶层原子发生键长收缩并扭转的弛豫特性,表面阳离子Si,C向体内方向发生不同程度的位移.表面重构的机理为Si,C原子由原来的sp3杂化方式退化为sp2杂化,与其三配位异种原子近似以平面构型成键.另外,表面弛豫实现表面由半金属性至半导体性的转变
    Wepresentatheoreticalcalculationontheatomicandelectronicstructureofα SiCanditsnon polar(1 0 1 0 )surfaceusingthefull potential linear augmented plane wave (FPLAPW)approach.Thecalculatedlatticeconstantsandbulkmodulusofα SiCcrystalareinexcellentagreementwithexperimentaldata .Theatomicandelectronicstructureofα SiC (1 0 1 0 )surfacehavebeencalculatedbyemployingslabandsupercellmodels.Itisfoundthatthesurfaceischaracterizedbyatop layerbond length contractingrotationrelaxationinwhichbothSiandCatomshavethetendencytomovedowntowardthebulktoformplanarconfigu rationwiththeirneighboursandSimovesfurthertowardthebulkthanCdoes.Furthermore ,surfacerelaxationinducesthetransformationfromsemi metallictosemiconductingcharacterization
    • 基金项目: 国家自然科学基金 (批准号 :5 0 13 2 0 40 );;中国科学技术大学“高水平大学建设”研究基地资助的课题
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出版历程
  • 刊出日期:  2002-06-05

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