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高气压反射式高能电子衍射仪监控脉冲激光外延氧化物薄膜

陈莺飞 彭 炜 李 洁 陈 珂 朱小红 王 萍 曾 光 郑东宁 李 林

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高气压反射式高能电子衍射仪监控脉冲激光外延氧化物薄膜

陈莺飞, 彭 炜, 李 洁, 陈 珂, 朱小红, 王 萍, 曾 光, 郑东宁, 李 林

In-situ monitoring of the growth of oxide thin films in PLD using high-pressure reflection high energy electron diffraction

Chen Ying-Fei, Peng Wei, Li Jie, Chen Ke, Zhu Xiao-Hong, Wang Ping, Zeng Guang, Zheng Dong-Ning, Li Lin
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出版历程
  • 收稿日期:  2003-06-06
  • 修回日期:  2003-06-13
  • 刊出日期:  2003-05-05

高气压反射式高能电子衍射仪监控脉冲激光外延氧化物薄膜

  • 1. 中国科学院物理研究所,超导国家重点实验室,北京 100080
    基金项目: 国家自然科学基金(批准号:10174093和59832050)和国家科技部重大基础研究规划项目(批准号:G1999064604)资助的课题.

摘要: 在超高真空分子束外延(MBE)生长技术中,反射式高能电子衍射仪(RHEED)能实时显示半导体和金属外延生长过程,给出薄膜表面结构和平整度的信息,成为MBE必备的原位表面分 析仪.为了研究氧化物薄膜如高温超导(YBa2Cu3O7) 、铁电薄膜(Sr1-xBax TiO3)及它们的同质和异质外延结构的生长机理,获得高质量的符合各种应用 需要的氧化 物多层薄膜结构,在常规的制备氧化

English Abstract

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