| [1] |
胡懿彬, 郝智彪, 胡健楠, 钮浪, 汪莱, 罗毅. 分子束外延生长InGaN/AlN量子点的组分研究. 物理学报,
2012, 61(23): 237804.
doi: 10.7498/aps.61.237804
|
| [2] |
张兵坡, 蔡春锋, 才玺坤, 吴惠桢, 王淼. 分子束外延生长[111]晶向CdTe的研究. 物理学报,
2012, 61(4): 046802.
doi: 10.7498/aps.61.046802
|
| [3] |
苏少坚, 汪巍, 张广泽, 胡炜玄, 白安琪, 薛春来, 左玉华, 成步文, 王启明. Si(001)衬底上分子束外延生长Ge0.975Sn0.025合金薄膜. 物理学报,
2011, 60(2): 028101.
doi: 10.7498/aps.60.028101
|
| [4] |
赵明海, 孙静静, 王丹, 邹志强, 梁齐. C60分子在Si（111）-7×7表面分子束外延生长的STM研究. 物理学报,
2010, 59(1): 636-642.
doi: 10.7498/aps.59.636
|
| [5] |
张冲, 叶辉, 张磊, 皇甫幼睿, 刘旭. 在Si-Ge晶体外延生长中的RHEED花样研究. 物理学报,
2009, 58(11): 7765-7772.
doi: 10.7498/aps.58.7765
|
| [6] |
何 萌, 刘国珍, 仇 杰, 邢 杰, 吕惠宾. 用激光分子束外延在Si衬底上外延生长高质量的TiN薄膜. 物理学报,
2008, 57(2): 1236-1240.
doi: 10.7498/aps.57.1236
|
| [7] |
罗向东, 姬长建, 王玉琦, 王建农. 低温分子束外延生长的GaMnAs反射光谱的低能振荡现象. 物理学报,
2008, 57(8): 5277-5283.
doi: 10.7498/aps.57.5277
|
| [8] |
崔堑, 黄绮, 陈弘, 周均铭. 高能电子衍射研究H钝化偏角Si衬底上Si,GexSi1-x的分子束外延生长模式. 物理学报,
1996, 45(4): 647-654.
doi: 10.7498/aps.45.647
|
| [9] |
周国良, 盛篪, 樊永良, 蒋维栋, 俞鸣人. GexSi1-x/Si应变层超晶格的分子束外延生长及其特性研究. 物理学报,
1993, 42(7): 1121-1128.
doi: 10.7498/aps.42.1121-2
|
| [10] |
胡福义, 李爱珍. 分子束外延GaAs/Si材料的喇曼散射研究. 物理学报,
1991, 40(6): 962-968.
doi: 10.7498/aps.40.962
|
| [11] |
周国良；盛篪；樊永良；蒋维栋；俞鸣人. Ge_xSi_1-x_/Si应变层超晶格的分子束外延生长及其特性研究. 物理学报,
1991, 40(7): 1121-1128.
doi: 10.7498/aps.40.1121
|
| [12] |
周洁, 卢励吾, 韩志勇, 梁基本. 分子束外延生长GaAs/Si异质结电学特性的研究. 物理学报,
1991, 40(11): 1827-1832.
doi: 10.7498/aps.40.1827
|
| [13] |
宗祥福, 邱绍雄, 杨恒青, 黄长河, 陈骏逸, 胡刚, 吴仲墀. GaSb/AlSb/GaAs应变层结构的分子束外延生长. 物理学报,
1990, 39(12): 1959-1964.
doi: 10.7498/aps.39.1959
|
| [14] |
蒋维栋, 樊永良, 盛篪, 俞鸣人. GaP衬底上分子束外延Si时P偏析的抑制. 物理学报,
1990, 39(9): 1429-1434.
doi: 10.7498/aps.39.1429
|
| [15] |
陈可明, 周铁城, 樊永良, 盛篪, 俞鸣人. 电子衍射条件对Si(111)外延时反射式高能电子衍射强度振荡的影响. 物理学报,
1990, 39(12): 1937-1944.
doi: 10.7498/aps.39.1937
|
| [16] |
陈可明, 金高龙, 盛篪, 俞鸣人. Si(111)分子束外延的生长动力学过程研究. 物理学报,
1990, 39(12): 1945-1951.
doi: 10.7498/aps.39.1945
|
| [17] |
陈可明, 金高龙, 盛篪, 周国良, 蒋维栋, 张翔九, 俞鸣人. 用RHEED强度振荡锁相外延控制Ge/Si超晶格的生长. 物理学报,
1990, 39(3): 408-415.
doi: 10.7498/aps.39.408
|
| [18] |
陈可明, 金高龙, 盛篪, 周国良, 蒋维栋, 张翔九, 俞鸣人. Si衬底上分子束外延Ge,Si时的反射式高能电子衍射强度振荡观察. 物理学报,
1990, 39(2): 237-244.
doi: 10.7498/aps.39.237
|
| [19] |
邓容平；蒋维栋；孙恒慧. 分子束外延生长Si/GaP(III)异质结的界面特性. 物理学报,
1989, 38(8): 1265-1270.
doi: 10.7498/aps.38.1265
|
| [20] |
周国良, 陈可明, 田亮光. 在Si衬底上用分子束外延低温生长Ge薄膜. 物理学报,
1988, 37(10): 1607-1612.
doi: 10.7498/aps.37.1607
|
下载:
