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Si(111)分子束外延生长时RHEED强度振荡的观察

金高龙 陈可明 盛篪 周国良 蒋维栋 张翔九

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Si(111)分子束外延生长时RHEED强度振荡的观察

金高龙, 陈可明, 盛篪, 周国良, 蒋维栋, 张翔九

OBSERVATION OF INTENSITY OSCILLATIONS OF RHEED DURING SILICON MOLECULAR BEAM EPITAXIAL GROWTH

JIN GAO-LONG, CHEN KE-MING, SHENG CHI, ZHOU GUO-LIANG, JIANG WEI-DONG, ZHANG XIANG-JIU
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出版历程
  • 收稿日期:  1988-07-15
  • 刊出日期:  2005-07-08

Si(111)分子束外延生长时RHEED强度振荡的观察

  • 1. 复旦大学表面物理实验室

摘要: 本文报道用反射式高能电子衍射的强度振荡测量来观察Si(111)衬底上分子束外延的生长行为,观察到了双原子层的振荡模式。振荡的衰减和恢复特性不同于Si(100)衬底上的生长行为,而同GaAs分子束外延时的特性非常相似。

English Abstract

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