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Si衬底上分子束外延Ge,Si时的反射式高能电子衍射强度振荡观察

陈可明 金高龙 盛篪 周国良 蒋维栋 张翔九 俞鸣人

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Si衬底上分子束外延Ge,Si时的反射式高能电子衍射强度振荡观察

陈可明, 金高龙, 盛篪, 周国良, 蒋维栋, 张翔九, 俞鸣人

RHEED INTENSITY OSCILLATIONS IN THE PROCESS OF MOLECULAR BEAM EPITAXY GROWTH OF Ge AND Si ON Si SUBSTRATES

CHEN KE-MING, JIN GAO-LONG, SHENG CHI, ZHOU GAO-LIANG, JIANO WEI-DONG, ZHANG XIANG-JIU, YU MING-REN
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出版历程
  • 收稿日期:  1989-04-12
  • 刊出日期:  1990-01-05

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