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Si衬底上分子束外延Ge,Si时的反射式高能电子衍射强度振荡观察

陈可明 金高龙 盛篪 周国良 蒋维栋 张翔九 俞鸣人

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Si衬底上分子束外延Ge,Si时的反射式高能电子衍射强度振荡观察

陈可明, 金高龙, 盛篪, 周国良, 蒋维栋, 张翔九, 俞鸣人

RHEED INTENSITY OSCILLATIONS IN THE PROCESS OF MOLECULAR BEAM EPITAXY GROWTH OF Ge AND Si ON Si SUBSTRATES

CHEN KE-MING, JIN GAO-LONG, SHENG CHI, ZHOU GAO-LIANG, JIANO WEI-DONG, ZHANG XIANG-JIU, YU MING-REN
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出版历程
  • 收稿日期:  1989-04-12
  • 刊出日期:  1990-01-05

Si衬底上分子束外延Ge,Si时的反射式高能电子衍射强度振荡观察

  • 1. 复旦大学表面物理实验室,上海,200433
    基金项目: 国家自然科学基金资助的课题

摘要: 本文观察了在Si(100)和Si(111)衬底上分子束外延Si,Ge时的反射式高能电子衍射(RHEED)强度振荡现象。其振荡特性表明,外延一定厚度的缓冲层可以改善表面的平整性,较慢的生长速率或中断生长一段时间有利于外延膜晶体质量的提高。Si(100)上外延Si或Ge时,沿[100]和[110]方位观测到的振荡特性均为单原子模式,起因于表面存在双畴(2×1)再构;而Si(111)上外延Ge时,[112]方位观测到的振荡为双原子层模式,但在[110]方位观察到不均匀周期的强度振荡行为。两种衬底上保持RHEED

English Abstract

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