搜索

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

基片温度与氧分压对磁控溅射制备氧化钒薄膜的影响

张 辉 刘应书 刘文海 王宝义 魏 龙

引用本文:
Citation:

基片温度与氧分压对磁控溅射制备氧化钒薄膜的影响

张 辉, 刘应书, 刘文海, 王宝义, 魏 龙

The effect of temperature of substrate and oxygen partial pressure on V2O5 films fabricated by magnetron sputtering

PDF
导出引用
计量
  • 文章访问数:  6276
  • PDF下载量:  1177
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2007-03-18
  • 修回日期:  2007-07-05
  • 刊出日期:  2007-06-05

基片温度与氧分压对磁控溅射制备氧化钒薄膜的影响

  • 1. 
    基金项目: 国家自然科学基金(批准号:10275077)资助的课题.

摘要: 采用磁控溅射工艺制备了V2O5薄膜.通过改变制备工艺中基片温度和氧分压两个条件,研究了薄膜的晶相组成、表观形貌以及氧化物中钒和氧元素的化合价态.当基片温度升高时,V2O5薄膜中颗粒结晶由细长针状转变为平行于基片的片状,V5+状态保持不变,但723 K时氧结合能向高键能态移动.氧分压较低时,薄膜表面有部分V4+态存在,但存在较多的高键能氧,此时薄膜中晶粒尺寸较小.随着氧分压的提

English Abstract

目录

    /

    返回文章
    返回