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磁控溅射制备Y2O3-TiO2薄膜形貌的研究

曹月华 狄国庆

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磁控溅射制备Y2O3-TiO2薄膜形貌的研究

曹月华, 狄国庆

Analysis of Y2O3 doped TiO2 films topography prepared by radio frequency magnetron sputtering

Cao Yue-Hua, Di Guo-Qing
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  • 室温下采用射频磁控溅射法,在硅衬底上制备了Y2O3-TiO2氧化物复合薄膜.利用XRD(X-ray diffraction)和AFM( atomic force microscopy)分析观察了退火前后样品的物相、形貌等变化,讨论了致密薄膜的生长机理.实验发现,溅射功率越大,薄膜的平整度和致密度越好.对热处理前后样品的结晶结构和表面形貌的分析结果显示,在本实验参数范围内,随着溅射功率的增大,更多的Y2O3
    Y2O3-TiO2 composite film were deposited on Si substrate at room temperature by means of radio frequency magnetron sputtering. The crystalline state and topography of the film before and after annealing were measured by XRD and AFM, and the mechanism of the film being more compact was discussed. The result revealed that the evenness and compactness of the film can be improved with increasing the sputtering power, which is due to the fact of more Y2O3 filling the pores around TiO2with raising sputtering power, which inhibited the growth of big TiO\-2 grains and improved the evenness and compactness of film. After annealing, XRD pattern indicated that the addition of Y2O3 favors the formation of rutile TiO2 film which has high-dielectric constant.
    • 基金项目: 江苏省高校自然科学重大基础研究项目(批准号:05KJA43006)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2010-05-03
  • 修回日期:  2010-06-11
  • 刊出日期:  2011-03-15

磁控溅射制备Y2O3-TiO2薄膜形貌的研究

  • 1. 薄膜材料江苏省重点实验室,苏州大学物理科学与技术学院,苏州 215006
    基金项目: 江苏省高校自然科学重大基础研究项目(批准号:05KJA43006)资助的课题.

摘要: 室温下采用射频磁控溅射法,在硅衬底上制备了Y2O3-TiO2氧化物复合薄膜.利用XRD(X-ray diffraction)和AFM( atomic force microscopy)分析观察了退火前后样品的物相、形貌等变化,讨论了致密薄膜的生长机理.实验发现,溅射功率越大,薄膜的平整度和致密度越好.对热处理前后样品的结晶结构和表面形貌的分析结果显示,在本实验参数范围内,随着溅射功率的增大,更多的Y2O3

English Abstract

参考文献 (26)

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