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不同中心波长飞秒脉冲激发InAs表面辐射太赫兹波的机理研究

孙红起 赵国忠 张存林 杨国桢

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不同中心波长飞秒脉冲激发InAs表面辐射太赫兹波的机理研究

孙红起, 赵国忠, 张存林, 杨国桢

The characteristics of terahertz radiation from InAs irradiated with femtosecond optical pulses of different wavelengths

Sun Hong-Qi, Zhao Guo-Zhong, Zhang Cun-Lin, Yang Guo-Zhen
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出版历程
  • 收稿日期:  2007-04-25
  • 修回日期:  2007-05-25
  • 刊出日期:  2008-01-05

不同中心波长飞秒脉冲激发InAs表面辐射太赫兹波的机理研究

  • 1. 首都师范大学物理系,太赫兹波谱与成像重点实验室,北京 100037
    基金项目: 国家自然科学基金(批准号:10390160,10474067),北京市自然科学基金(批准号:4073030)和北京市教委科技发展计划面上项目基金(批准号:KM200510028003)资助的课题.

摘要: 研究了p型(100)InAs在不同中心波长飞秒激发光(750—850nm)作用下的太赫兹(THz)波辐射特性.这种太赫兹辐射的光谱性质与光学Dember效应密切相关,飞秒脉冲激发下产生的载流子在InAs表面的Dember场内做加速运动,从而辐射出THz电磁波.实验结果表明:不同中心波长的激发光作用下,InAs表面产生的Dember电场、光生载流子浓度、谷间散射效应以及处于不同状态的载流子数目都发生了变化,因而激发出太赫兹波的功率、振幅、频谱分布和有效谱宽是不同的.这项研究将有利于THz时域光谱技术以及实验

English Abstract

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