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偏置条件对SOI NMOS器件总剂量辐照效应的影响

卓青青 刘红侠 杨兆年 蔡惠民 郝跃

引用本文:
Citation:

偏置条件对SOI NMOS器件总剂量辐照效应的影响

卓青青, 刘红侠, 杨兆年, 蔡惠民, 郝跃

The total dose irradiation effects of SOI NMOS devices under different bias conditions

Zhuo Qing-Qing, Liu Hong-Xia, Yang Zhao-Nian, Cai Hui-Min, Hao Yue
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出版历程
  • 收稿日期:  2012-04-24
  • 修回日期:  2012-06-14
  • 刊出日期:  2012-11-05

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