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晶粒尺寸对1 MeV电子在金属Ni中能量沉积的影响

马国亮 李兴冀 刘海 刘超铭 杨剑群 何世禹

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晶粒尺寸对1 MeV电子在金属Ni中能量沉积的影响

马国亮, 李兴冀, 刘海, 刘超铭, 杨剑群, 何世禹

Effect of grain size on energy deposition process in Ni metal during 1 MeV electron irradiation

Ma Guo-Liang, Li Xing-Ji, Liu Hai, Liu Chao-Ming, Yang Jian-Qun, He Shi-Yu
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  • 采用脉冲电沉积方法制备出高致密、高质量的纳米晶Ni, 并对其密度、组织成分和微观结构进行了表征. 利用高能粒子加速器产生的1 MeV高能电子为辐照源, 研究高能电子在纳米晶Ni和常规粗晶Ni中的能量损失. 通过辐照过程中放置的吸收剂量片来准确表征其电子的能量沉积. 结果表明, 晶粒尺寸对高能电子在材料中的能量沉积有明显的影响, 1 MeV电子在穿过一定厚度的金属Ni后, 在晶粒尺寸细小的纳米晶Ni中测得总的吸收剂量较大, 证明了高能电子在纳米材料中的总能量沉积较小, 从而表现出纳米材料抗辐照的优异性能.
    The high performance nano-crystal Ni material was prepared by the pulse electrodeposition process; the intensity, composition and the microscopic structure of the nano-crystal Ni material were investigated by various measurements. In this paper, the 1 MeV electron was chosen as the irradiation source to investigate the energy loss of high energy electron in the nano-crystal Ni material and conventional bulk Ni material, and the energy deposition process during the electron irradiation was measured by the absorbed dose tablets. The results show that the grain size affects the energy loss process during the 1MeV electron irradiation seriously. The absorbed dose of 1 MeV electron in the nano-crystal Ni material is lower than that in the common Ni material with the same thickness, which indicates that the energy deposition of high energy electron in nano-crystal metal is lower than that in the conventional bulk metal, and the nano-crystal metal has an advantage of radiation resistance.
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号:11205038)和中国博士后科学基金(批准号:2012M510951)资助的课题.
    • Funds: Project supported by the National Natural Science Foundation of China (Grant No. 11205038), and the China Postdoctoral Science Foundation (Grant No. 2012M510951).
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出版历程
  • 收稿日期:  2012-12-06
  • 修回日期:  2013-01-05
  • 刊出日期:  2013-05-05

晶粒尺寸对1 MeV电子在金属Ni中能量沉积的影响

  • 1. 哈尔滨工业大学材料科学与工程学院, 哈尔滨 150001
    基金项目: 国家自然科学基金(批准号:11205038)和中国博士后科学基金(批准号:2012M510951)资助的课题.

摘要: 采用脉冲电沉积方法制备出高致密、高质量的纳米晶Ni, 并对其密度、组织成分和微观结构进行了表征. 利用高能粒子加速器产生的1 MeV高能电子为辐照源, 研究高能电子在纳米晶Ni和常规粗晶Ni中的能量损失. 通过辐照过程中放置的吸收剂量片来准确表征其电子的能量沉积. 结果表明, 晶粒尺寸对高能电子在材料中的能量沉积有明显的影响, 1 MeV电子在穿过一定厚度的金属Ni后, 在晶粒尺寸细小的纳米晶Ni中测得总的吸收剂量较大, 证明了高能电子在纳米材料中的总能量沉积较小, 从而表现出纳米材料抗辐照的优异性能.

English Abstract

参考文献 (19)

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