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90 nm互补金属氧化物半导体静态随机存储器局部单粒子闩锁传播效应诱发多位翻转的机理

陈睿 余永涛 上官士鹏 封国强 韩建伟

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90 nm互补金属氧化物半导体静态随机存储器局部单粒子闩锁传播效应诱发多位翻转的机理

陈睿, 余永涛, 上官士鹏, 封国强, 韩建伟

Mechanism of multiple bit upsets induced by localized latch-up effect in 90 nm complementary metal semiconductor static random-access memory

Chen Rui, Yu Yong-Tao, Shangguan Shi-Peng, Feng Guo-Qiang, Han Jian-Wei
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出版历程
  • 收稿日期:  2014-01-16
  • 修回日期:  2014-02-17
  • 刊出日期:  2014-06-05

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