搜索

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

累积辐照影响静态随机存储器单粒子翻转敏感性的仿真研究

丁李利 郭红霞 陈伟 闫逸华 肖尧 范如玉

引用本文:
Citation:

累积辐照影响静态随机存储器单粒子翻转敏感性的仿真研究

丁李利, 郭红霞, 陈伟, 闫逸华, 肖尧, 范如玉

Simulation study of the influence of ionizing irradiation on the single event upset vulnerability of static random access memory

Ding Li-Li, Guo Hong-Xia, Chen Wei, Yan Yi-Hua, Xiao Yao, Fan Ru-Yu
PDF
导出引用
计量
  • 文章访问数:  3159
  • PDF下载量:  498
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2013-05-02
  • 修回日期:  2013-06-04
  • 刊出日期:  2013-09-05

累积辐照影响静态随机存储器单粒子翻转敏感性的仿真研究

  • 1. 西北核技术研究所, 西安 710024;
  • 2. 清华大学工程物理系, 北京 100084

摘要: 基于解析分析对比了大尺寸与深亚微米尺度下静态随机存取存储器(static random access memory, SRAM)单元单粒子翻转敏感性的表征值及引入累积辐照后的变化趋势. 同时借助仿真模拟计算了0.18 μm工艺对应的六管SRAM单元在对应不同累积剂量情况下, 离子分别入射不同中心单管时的电学响应变化, 计算结果与解析分析所得推论相一致, 即只有当累积辐照阶段与单粒子作用阶段存储相反数值时, SRAM单元的单粒子翻转敏感性才会增强.

English Abstract

参考文献 (11)

目录

    /

    返回文章
    返回