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应用中国散裂中子源9号束线端研究65 nm微控制器大气中子单粒子效应

胡志良 杨卫涛 李永宏 李洋 贺朝会 王松林 周斌 于全芝 何欢 谢飞 白雨蓉 梁天骄

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应用中国散裂中子源9号束线端研究65 nm微控制器大气中子单粒子效应

胡志良, 杨卫涛, 李永宏, 李洋, 贺朝会, 王松林, 周斌, 于全芝, 何欢, 谢飞, 白雨蓉, 梁天骄

Atmospheric neutron single event effect in 65 nm microcontroller units by using CSNS-BL09

Hu Zhi-Liang, Yang Wei-Tao, Li Yong-Hong, Li Yang, He Chao-Hui, Wang Song-Lin, Zhou Bin, Yu Quan-Zhi, He Huan, Xie Fei, Bai Yu-Rong, Liang Tian-Jiao
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  • 采用设置和不设置镉中子吸收体两种方式, 利用中国散裂中子源9号束线(CSNS-BL09)对65 nm微控制器进行了大气中子单粒子效应辐照测试. 测试中探测到的效应主要为单位翻转. 测试结果表明, 对于该款微控制器, 热中子引起的中子单粒子翻转占比约65%; 进一步分析表明, 热中子与10B反应产生的0.84 MeV 7Li可能是诱发微控制器单粒子翻转的主要因素.
    The 65 nm-microcontroller units (MCUs) are being widely used in critical terrestrial tests, and the risk from atmospheric neutron becomes more and more serious. The spallation neutron source contains broad energy spectrum, which is different from the mono-energetic neutron sources, and is the most ideal irradiation source for atmospheric neutron single event effect (SEE). Benefiting from China Spallation Neutron Source (CSNS), the atmospheric neutron SEE in 65 nm-MCUs is tested for the first time at the CSNS 9th beam line in China. The beam line is locatedin the 46° direction along the proton hitting the target, and the neutron spectrum is achieved to range from meV to 1.6 GeV. The test is conducted in two conditions in order to investigate the influence of thermal neutron. One is that the thermal neutrons are shielded with a 2-mm-thick cadmium slat at the beam ejection hole, and the other is not. The detected effects are single bit upset (SBU) events. 16 SBU events are detected when 5.3363 × 1017 protons hit the tungsten target without the thermal neutron, and 63 SBU events are recorded in the condition of 7.2131 × 1017 protons striking the target and thermal neutrons included. Comparing with the high energy neutron (>1 MeV), the SBU events caused by thermal neutron contribute about 65% of the number of total upset events. The test results preliminarily illustrate that the thermal neutrons dominate the 65 nm MCU reliability.
      通信作者: 李永宏, yonghongli@mail.xjtu.edu.cn ; 梁天骄, tjliang@ihep.ac.cn
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号: 11575138, 11835006, 11690040, 11690043, 11705216)和广东省科技计划项目(批准号: 2017B090901068, 20170921)资助的课题
      Corresponding author: Li Yong-Hong, yonghongli@mail.xjtu.edu.cn ; Liang Tian-Jiao, tjliang@ihep.ac.cn
    • Funds: Project supported by the National Natural Science Foundation of China (Grant Nos. 11575138, 11835006, 11690040, 11690043, 11705216) and the Science and Technology Project of Guangdong Province, China (Grant Nos. 2017B090901068, 20170921)
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    Fig. 1.  Cross sections of different energy neutrons interacting with various nuclear atoms in semiconductor: (a) Cross sections of B and Si isotopes, the neutron energy interval is 10–11−1 MeV; (b) cross sections of 14N, 16O, 27Al, 28Si and 184W, the neutron energy interval is 1−150 MeV.

    图 2  实验束线中子能谱

    Fig. 2.  Neutron spectrum of the experiments.

    图 3  65 nm MCU散裂中子辐照测试现场图 (a) DUT与出射孔相对位置图; (b)含2 mm厚镉屏蔽体测试现场图; (c)无镉屏蔽测试现场图

    Fig. 3.  65 nm MCU neutron test site: (a) The device under test and the 2 cm ejection hole; (b) with 2 mm cadmium shielding; (c) without cadmium shielding.

    图 4  热中子与10B反应产生次级粒子在不同能量下的LET与硅中射程

    Fig. 4.  The LET values and ranges of secondary particles from thermal neutrons interacting with 10B.

    图 5  65 nm MCU内部热中子与10B反应次级粒子沉积能量示意图

    Fig. 5.  The sketch of thermal neutron interacting with 10B in 65 nm MCU.

    表 1  两组辐照下的实验数据

    Table 1.  The experiment data in two irradiations.

    物理量测试组对照组
    实验值实验值推导值
    SBU次数166346
    总质子数/p5.3363 × 10177.2131 × 10175.3363 × 1017
    中子注量/n·cm–2镉上中子7.6997 × 10101.0703 × 10117.9182 × 1010
    热中子1.2585 × 1081.0062 × 10107.4440 × 109
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    [10] 鲍杰, 陈永浩, 张显鹏, 栾广源, 任杰, 王琦, 阮锡超, 张凯, 安琪, 白怀勇, 曹平, 陈琪萍, 程品晶, 崔增琪, 樊瑞睿, 封常青, 顾旻皓, 郭凤琴, 韩长材, 韩子杰, 贺国珠, 何泳成, 何越峰, 黄翰雄, 黄蔚玲, 黄锡汝, 季筱路, 吉旭阳, 江浩雨, 蒋伟, 敬罕涛, 康玲, 康明涛, 兰长林, 李波, 李论, 李强, 李晓, 李阳, 李样, 刘荣, 刘树彬, 刘星言, 马应林, 宁常军, 聂阳波, 齐斌斌, 宋朝晖, 孙虹, 孙晓阳, 孙志嘉, 谭志新, 唐洪庆, 唐靖宇, 王鹏程, 王涛峰, 王艳凤, 王朝辉, 王征, 文杰, 温中伟, 吴青彪, 吴晓光, 吴煊, 解立坤, 羊奕伟, 杨毅, 易晗, 于莉, 余滔, 于永积, 张国辉, 张旌, 张林浩, 张利英, 张清民, 张奇伟, 张玉亮, 张志永, 赵映潭, 周良, 周祖英, 朱丹阳, 朱科军, 朱鹏. 中国散裂中子源反角白光中子束流参数的初步测量. 物理学报, 2019, 68(8): 080101. doi: 10.7498/aps.68.20182191
    [11] 王勋, 张凤祁, 陈伟, 郭晓强, 丁李利, 罗尹虹. 中国散裂中子源在大气中子单粒子效应研究中的应用评估. 物理学报, 2019, 68(5): 052901. doi: 10.7498/aps.68.20181843
    [12] 王立鹏, 江新标, 吴宏春, 樊慧庆. 氮化铀热中子截面的第一性原理计算. 物理学报, 2018, 67(20): 202801. doi: 10.7498/aps.67.20180834
    [13] 温志文, 祁辉荣, 张余炼, 王海云, 刘凌, 王艳凤, 张建, 李玉红, 孙志嘉. 用于中国散裂中子源多功能反射谱仪的高气压多丝正比室探测器的研制. 物理学报, 2018, 67(7): 072901. doi: 10.7498/aps.67.20172618
    [14] 王胜, 李航, 曹超, 吴洋, 霍合勇, 唐彬. 新型热中子敏感微通道板探测效率的蒙特-卡罗模拟研究. 物理学报, 2015, 64(10): 102801. doi: 10.7498/aps.64.102801
    [15] 沈飞, 梁泰然, 殷雯, 于全芝, 左太森, 姚泽恩, 朱涛, 梁天骄. 中国散裂中子源多功能反射谱仪屏蔽设计. 物理学报, 2014, 63(15): 152801. doi: 10.7498/aps.63.152801
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    [18] 阮景辉, 成之绪, 陈桂英. 金属氢化物(AlH3)n的热中子非弹性散射谱. 物理学报, 1981, 30(4): 538-541. doi: 10.7498/aps.30.538
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    [20] 陆挺, 阮景辉, 李竹起, 萨本豪, 董秀芳. 氢化锆中氢的热中子散射总截面. 物理学报, 1975, 24(3): 210-214. doi: 10.7498/aps.24.210
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出版历程
  • 收稿日期:  2019-08-05
  • 修回日期:  2019-09-09
  • 上网日期:  2019-11-26
  • 刊出日期:  2019-12-05

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