搜索

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

应用中国散裂中子源9号束线端研究65 nm微控制器大气中子单粒子效应

胡志良 杨卫涛 李永宏 李洋 贺朝会 王松林 周斌 于全芝 何欢 谢飞 白雨蓉 梁天骄

引用本文:
Citation:

应用中国散裂中子源9号束线端研究65 nm微控制器大气中子单粒子效应

胡志良, 杨卫涛, 李永宏, 李洋, 贺朝会, 王松林, 周斌, 于全芝, 何欢, 谢飞, 白雨蓉, 梁天骄

Atmospheric neutron single event effect in 65 nm microcontroller units by using CSNS-BL09

Hu Zhi-Liang, Yang Wei-Tao, Li Yong-Hong, Li Yang, He Chao-Hui, Wang Song-Lin, Zhou Bin, Yu Quan-Zhi, He Huan, Xie Fei, Bai Yu-Rong, Liang Tian-Jiao
PDF
HTML
导出引用
  • 采用设置和不设置镉中子吸收体两种方式, 利用中国散裂中子源9号束线(CSNS-BL09)对65 nm微控制器进行了大气中子单粒子效应辐照测试. 测试中探测到的效应主要为单位翻转. 测试结果表明, 对于该款微控制器, 热中子引起的中子单粒子翻转占比约65%; 进一步分析表明, 热中子与10B反应产生的0.84 MeV 7Li可能是诱发微控制器单粒子翻转的主要因素.
    The 65 nm-microcontroller units (MCUs) are being widely used in critical terrestrial tests, and the risk from atmospheric neutron becomes more and more serious. The spallation neutron source contains broad energy spectrum, which is different from the mono-energetic neutron sources, and is the most ideal irradiation source for atmospheric neutron single event effect (SEE). Benefiting from China Spallation Neutron Source (CSNS), the atmospheric neutron SEE in 65 nm-MCUs is tested for the first time at the CSNS 9th beam line in China. The beam line is locatedin the 46° direction along the proton hitting the target, and the neutron spectrum is achieved to range from meV to 1.6 GeV. The test is conducted in two conditions in order to investigate the influence of thermal neutron. One is that the thermal neutrons are shielded with a 2-mm-thick cadmium slat at the beam ejection hole, and the other is not. The detected effects are single bit upset (SBU) events. 16 SBU events are detected when 5.3363 × 1017 protons hit the tungsten target without the thermal neutron, and 63 SBU events are recorded in the condition of 7.2131 × 1017 protons striking the target and thermal neutrons included. Comparing with the high energy neutron (>1 MeV), the SBU events caused by thermal neutron contribute about 65% of the number of total upset events. The test results preliminarily illustrate that the thermal neutrons dominate the 65 nm MCU reliability.
      通信作者: 李永宏, yonghongli@mail.xjtu.edu.cn ; 梁天骄, tjliang@ihep.ac.cn
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号: 11575138, 11835006, 11690040, 11690043, 11705216)和广东省科技计划项目(批准号: 2017B090901068, 20170921)资助的课题
      Corresponding author: Li Yong-Hong, yonghongli@mail.xjtu.edu.cn ; Liang Tian-Jiao, tjliang@ihep.ac.cn
    • Funds: Project supported by the National Natural Science Foundation of China (Grant Nos. 11575138, 11835006, 11690040, 11690043, 11705216) and the Science and Technology Project of Guangdong Province, China (Grant Nos. 2017B090901068, 20170921)
    [1]

    蔡明辉, 韩建伟, 李小银, 李宏伟, 张振力 2009 物理学报 58 6659Google Scholar

    Cai M H, Han J W, Li X Y, Li H W, Zhang Z L 2009 Acta Phys. Sin. 58 6659Google Scholar

    [2]

    Leray J L 2007 Microelectron. Reliab. 47 1827Google Scholar

    [3]

    Austin L, Saar D, Joseph J F, Carl C, Peter A 2005 IEEE Trans. Device Mater. Reliab. 5 317Google Scholar

    [4]

    Baggio J, Lambert D, Ferlet-Cavrois V, Paillet P, Marcandella C, Duhamel O 2007 IEEE Trans. Nucl. Sci. 54 2149Google Scholar

    [5]

    Lei Z F, Zhang Z G, En Y F, Huang Y 2018 Chin. Phys. B 27 066105Google Scholar

    [6]

    TivaTM TM4 C1294 NCPDT. Microcontroller DATA SHEET

    [7]

    陈达, 贾文宝 2015 应用中子物理学 (北京: 科学出版社) 第44页

    Chen D, Jia W B 2015 Applied Neutron Physics (Beijing: Science Press) p44 (in Chinese)

    [8]

    张紫霞, 魏志勇, 方美华, 杨永常, 陈国云 2009 装备环境工程 6 5Google Scholar

    Zhang Z X, Wei Z Y, Fang M H, Yang Y C, Cheng G Y 2009 Eq. Environ. Eng. 6 5Google Scholar

    [9]

    杨善潮, 齐超, 刘岩, 郭晓强, 金晓明, 陈伟, 白小燕, 林东生, 王桂珍 2015 强激光与粒子束 27 4

    Yang S C, Qi C, Liu Y, Guo X Q, Jin X M, Chen W, Bai X Y, Lin D S, Wang G Z 2015 High Pow. Las. Part. Beam 27 4

    [10]

    Brookhaven National Laboratory, National Nulcear Data Center (NNDC), Evaluated Nuclear Data File (ENDF): https://www.nndc.bnl.gov/exfor/endf00.jsp[2019-5-16]

    [11]

    戴春娟, 刘希琴, 刘子利, 刘伯路 2013 物理学报 62 152801Google Scholar

    Dai C J, Liu X Q, Liu Z L, Liu B L 2013 Acta Phys. Sin. 62 152801Google Scholar

    [12]

    Kobayashi H, Kawamotom N, Kase J, Shiraish K 2009 IEEE International Reliability Physics Symposium Montreal, QC, Canada, April 26−30, 2009 p206

    [13]

    Autran J L, Serre S, Semikh S, Munteanu D, Gasiot G, Roche P 2012 IEEE Trans. Nucl. Sci. 59 2658Google Scholar

    [14]

    Clive D, Alex H, Karen F, Adam F, Peter T 2006 IEEE Trans. Nucl. Sci. 53 3596Google Scholar

    [15]

    陈冬梅, 孙旭朋, 钟征宇, 封国强, 白桦, 阳辉, 底桐 2018 航空科学技术 29 67

    Chen D M, Sun X P, Zhong Z Y, Feng G Q, Bai H, Yang H, Di T 2018 Aeronau. Sci. Tech. 29 67

    [16]

    JEDEC 2006 Measurement and Reporting of Alpha Particles and Terrestrial Cosmic RayInduced Soft Errors in Semiconductor Devices: JESD89 A, JEDEC STANDARD, JEDEC Solid State Technology Association

    [17]

    Yang W T, Li Y, Li Y H, Hu Z L, Xie F, He C H, Wang S L, Zhou B, He H, Waseem K, Liang T J 2019 Microelectron. Reliab. 99 119Google Scholar

    [18]

    IEC 62396-2 Process Management for Avionics—Atmospheric Radiation Effects Part 2: Guidelines for Single Event Effects Testing for Avionics Systems. IEC 2012

    [19]

    于全芝, 殷雯, 梁天骄 2011 物理学报 60 052501Google Scholar

    Yu Q Z, Yin W, Liang T J 2011 Acta Phys. Sin. 60 052501Google Scholar

    [20]

    沈飞, 梁泰然, 殷雯, 于全芝, 左太森, 姚泽恩, 朱涛, 梁天骄 2014 物理学报 63 152801Google Scholar

    Shen F, Liang T R, Yin W, Yu Q Z, Zuo T S, Yao Z E, Zhu T, Liang T J 2014 Acta Phys. Sin. 63 152801Google Scholar

    [21]

    王勋, 张凤祁, 陈伟, 郭晓强, 丁李利, 罗尹虹 2019 物理学报 68 052901Google Scholar

    Wang X, Zhang F Q, Chen W, Guo X Q, Ding L L, Luo Y H 2019 Acta Phys. Sin. 68 052901Google Scholar

    [22]

    Yang W T, Du X C, He C H, Shi S T, Cai L, Hui N, Guo G 2018 IEEE Trans. Nucl. Sci. 65 545Google Scholar

    [23]

    Cecile W, Sabrine H, Nicolas G, Jaime S, Jerome B, Florent M, Maria M 2018 IEEE Trans. Nucl. Sci. 65 1851Google Scholar

    [24]

    Wen S J, Pai S Y, Wong R, Romain M, Tam N 2010 IEEE International Integrated Reliability Workshop Final Report Fallen Leaf, CA, USA, Oct. 17−21, 2010 p31

    [25]

    田永顺, 胡志良, 童剑飞, 陈俊阳, 彭向阳, 梁天骄 2018 物理学报 67 142801Google Scholar

    Tian Y S, Hu Z L, Tong J F, Chen J Y, Peng X Y, Liang T J 2018 Acta Phys. Sin. 67 142801Google Scholar

    [26]

    SRIM 2013 Particle Interactions with Matter [Online]. Available: http://www.srim.org/[2019-5-4]

    [27]

    Muhammad S, Chechenin N. G, Frank S, Usman A, Muhammad U, Zhu M, Khan 2017 Microelectron. Reliab. 78 11Google Scholar

  • 图 1  半导体中各核素的中子反应截面 (a)与B, Si的同位素的反应截面, 对应中子能量范围10–11−1 MeV; (b)与14N, 16O, 27Al, 28Si, 184W的反应截面, 对应中子能量范围1−150 MeV

    Fig. 1.  Cross sections of different energy neutrons interacting with various nuclear atoms in semiconductor: (a) Cross sections of B and Si isotopes, the neutron energy interval is 10–11−1 MeV; (b) cross sections of 14N, 16O, 27Al, 28Si and 184W, the neutron energy interval is 1−150 MeV.

    图 2  实验束线中子能谱

    Fig. 2.  Neutron spectrum of the experiments.

    图 3  65 nm MCU散裂中子辐照测试现场图 (a) DUT与出射孔相对位置图; (b)含2 mm厚镉屏蔽体测试现场图; (c)无镉屏蔽测试现场图

    Fig. 3.  65 nm MCU neutron test site: (a) The device under test and the 2 cm ejection hole; (b) with 2 mm cadmium shielding; (c) without cadmium shielding.

    图 4  热中子与10B反应产生次级粒子在不同能量下的LET与硅中射程

    Fig. 4.  The LET values and ranges of secondary particles from thermal neutrons interacting with 10B.

    图 5  65 nm MCU内部热中子与10B反应次级粒子沉积能量示意图

    Fig. 5.  The sketch of thermal neutron interacting with 10B in 65 nm MCU.

    表 1  两组辐照下的实验数据

    Table 1.  The experiment data in two irradiations.

    物理量测试组对照组
    实验值实验值推导值
    SBU次数166346
    总质子数/p5.3363 × 10177.2131 × 10175.3363 × 1017
    中子注量/n·cm–2镉上中子7.6997 × 10101.0703 × 10117.9182 × 1010
    热中子1.2585 × 1081.0062 × 10107.4440 × 109
    下载: 导出CSV
  • [1]

    蔡明辉, 韩建伟, 李小银, 李宏伟, 张振力 2009 物理学报 58 6659Google Scholar

    Cai M H, Han J W, Li X Y, Li H W, Zhang Z L 2009 Acta Phys. Sin. 58 6659Google Scholar

    [2]

    Leray J L 2007 Microelectron. Reliab. 47 1827Google Scholar

    [3]

    Austin L, Saar D, Joseph J F, Carl C, Peter A 2005 IEEE Trans. Device Mater. Reliab. 5 317Google Scholar

    [4]

    Baggio J, Lambert D, Ferlet-Cavrois V, Paillet P, Marcandella C, Duhamel O 2007 IEEE Trans. Nucl. Sci. 54 2149Google Scholar

    [5]

    Lei Z F, Zhang Z G, En Y F, Huang Y 2018 Chin. Phys. B 27 066105Google Scholar

    [6]

    TivaTM TM4 C1294 NCPDT. Microcontroller DATA SHEET

    [7]

    陈达, 贾文宝 2015 应用中子物理学 (北京: 科学出版社) 第44页

    Chen D, Jia W B 2015 Applied Neutron Physics (Beijing: Science Press) p44 (in Chinese)

    [8]

    张紫霞, 魏志勇, 方美华, 杨永常, 陈国云 2009 装备环境工程 6 5Google Scholar

    Zhang Z X, Wei Z Y, Fang M H, Yang Y C, Cheng G Y 2009 Eq. Environ. Eng. 6 5Google Scholar

    [9]

    杨善潮, 齐超, 刘岩, 郭晓强, 金晓明, 陈伟, 白小燕, 林东生, 王桂珍 2015 强激光与粒子束 27 4

    Yang S C, Qi C, Liu Y, Guo X Q, Jin X M, Chen W, Bai X Y, Lin D S, Wang G Z 2015 High Pow. Las. Part. Beam 27 4

    [10]

    Brookhaven National Laboratory, National Nulcear Data Center (NNDC), Evaluated Nuclear Data File (ENDF): https://www.nndc.bnl.gov/exfor/endf00.jsp[2019-5-16]

    [11]

    戴春娟, 刘希琴, 刘子利, 刘伯路 2013 物理学报 62 152801Google Scholar

    Dai C J, Liu X Q, Liu Z L, Liu B L 2013 Acta Phys. Sin. 62 152801Google Scholar

    [12]

    Kobayashi H, Kawamotom N, Kase J, Shiraish K 2009 IEEE International Reliability Physics Symposium Montreal, QC, Canada, April 26−30, 2009 p206

    [13]

    Autran J L, Serre S, Semikh S, Munteanu D, Gasiot G, Roche P 2012 IEEE Trans. Nucl. Sci. 59 2658Google Scholar

    [14]

    Clive D, Alex H, Karen F, Adam F, Peter T 2006 IEEE Trans. Nucl. Sci. 53 3596Google Scholar

    [15]

    陈冬梅, 孙旭朋, 钟征宇, 封国强, 白桦, 阳辉, 底桐 2018 航空科学技术 29 67

    Chen D M, Sun X P, Zhong Z Y, Feng G Q, Bai H, Yang H, Di T 2018 Aeronau. Sci. Tech. 29 67

    [16]

    JEDEC 2006 Measurement and Reporting of Alpha Particles and Terrestrial Cosmic RayInduced Soft Errors in Semiconductor Devices: JESD89 A, JEDEC STANDARD, JEDEC Solid State Technology Association

    [17]

    Yang W T, Li Y, Li Y H, Hu Z L, Xie F, He C H, Wang S L, Zhou B, He H, Waseem K, Liang T J 2019 Microelectron. Reliab. 99 119Google Scholar

    [18]

    IEC 62396-2 Process Management for Avionics—Atmospheric Radiation Effects Part 2: Guidelines for Single Event Effects Testing for Avionics Systems. IEC 2012

    [19]

    于全芝, 殷雯, 梁天骄 2011 物理学报 60 052501Google Scholar

    Yu Q Z, Yin W, Liang T J 2011 Acta Phys. Sin. 60 052501Google Scholar

    [20]

    沈飞, 梁泰然, 殷雯, 于全芝, 左太森, 姚泽恩, 朱涛, 梁天骄 2014 物理学报 63 152801Google Scholar

    Shen F, Liang T R, Yin W, Yu Q Z, Zuo T S, Yao Z E, Zhu T, Liang T J 2014 Acta Phys. Sin. 63 152801Google Scholar

    [21]

    王勋, 张凤祁, 陈伟, 郭晓强, 丁李利, 罗尹虹 2019 物理学报 68 052901Google Scholar

    Wang X, Zhang F Q, Chen W, Guo X Q, Ding L L, Luo Y H 2019 Acta Phys. Sin. 68 052901Google Scholar

    [22]

    Yang W T, Du X C, He C H, Shi S T, Cai L, Hui N, Guo G 2018 IEEE Trans. Nucl. Sci. 65 545Google Scholar

    [23]

    Cecile W, Sabrine H, Nicolas G, Jaime S, Jerome B, Florent M, Maria M 2018 IEEE Trans. Nucl. Sci. 65 1851Google Scholar

    [24]

    Wen S J, Pai S Y, Wong R, Romain M, Tam N 2010 IEEE International Integrated Reliability Workshop Final Report Fallen Leaf, CA, USA, Oct. 17−21, 2010 p31

    [25]

    田永顺, 胡志良, 童剑飞, 陈俊阳, 彭向阳, 梁天骄 2018 物理学报 67 142801Google Scholar

    Tian Y S, Hu Z L, Tong J F, Chen J Y, Peng X Y, Liang T J 2018 Acta Phys. Sin. 67 142801Google Scholar

    [26]

    SRIM 2013 Particle Interactions with Matter [Online]. Available: http://www.srim.org/[2019-5-4]

    [27]

    Muhammad S, Chechenin N. G, Frank S, Usman A, Muhammad U, Zhu M, Khan 2017 Microelectron. Reliab. 78 11Google Scholar

  • [1] 曹嵩, 殷雯, 周斌, 胡志良, 沈飞, 易天成, 王松林, 梁天骄. 中国散裂中子源二期靶站关键部件辐照损伤模拟计算. 物理学报, 2024, 73(9): 092501. doi: 10.7498/aps.73.20240088
    [2] 王德鑫, 张苏雅拉吐, 蒋伟, 任杰, 王金成, 唐靖宇, 阮锡超, 王宏伟, 陈志强, 黄美容, 唐鑫, 胡新荣, 李鑫祥, 刘龙祥, 刘丙岩, 孙慧, 张岳, 郝子锐, 宋娜, 李雪, 牛丹丹, 利国, 蒙古夫. 不同厚度镥样品中子俘获反应实验研究. 物理学报, 2022, 71(7): 072901. doi: 10.7498/aps.71.20212051
    [3] 张江林, 姜炳, 陈永浩, 郭子安, 王小鹤, 蒋伟, 易晗, 韩建龙, 胡继峰, 唐靖宇, 陈金根, 蔡翔舟. 基于中国散裂中子源反角白光中子束线的天然锂中子全截面测量. 物理学报, 2022, 71(5): 052901. doi: 10.7498/aps.71.20211646
    [4] 张奇玮, 栾广源, 任杰, 阮锡超, 贺国珠, 鲍杰, 孙琪, 黄翰雄, 王朝辉, 顾旻皓, 余滔, 解立坤, 陈永浩, 安琪, 白怀勇, 鲍煜, 曹平, 陈昊磊, 陈琪萍, 陈裕凯, 陈朕, 崔增琪, 樊瑞睿, 封常青, 高可庆, 韩长材, 韩子杰, 何泳成, 洪杨, 黄蔚玲, 黄锡汝, 季筱璐, 吉旭阳, 蒋伟, 江浩雨, 姜智杰, 敬罕涛, 康玲, 康明涛, 李波, 李超, 李嘉雯, 李论, 李强, 李晓, 李样, 刘荣, 刘树彬, 刘星言, 穆奇丽, 宁常军, 齐斌斌, 任智洲, 宋英鹏, 宋朝晖, 孙虹, 孙康, 孙晓阳, 孙志嘉, 谭志新, 唐洪庆, 唐靖宇, 唐新懿, 田斌斌, 王丽娇, 王鹏程, 王琦, 王涛峰, 文杰, 温中伟, 吴青彪, 吴晓光, 吴煊, 羊奕伟, 易晗, 于莉, 于永积, 张国辉, 张林浩, 张显鹏, 张玉亮, 张志永, 赵豫斌, 周路平, 周祖英, 朱丹阳, 朱科军, 朱鹏, 朱兴华. 基于CSNS反角白光中子源的中子俘获反应截面测量技术研究. 物理学报, 2021, 70(22): 222801. doi: 10.7498/aps.70.20210742
    [5] 张战刚, 雷志锋, 童腾, 李晓辉, 王松林, 梁天骄, 习凯, 彭超, 何玉娟, 黄云, 恩云飞. 14 nm FinFET和65 nm平面工艺静态随机存取存储器中子单粒子翻转对比. 物理学报, 2020, 69(5): 056101. doi: 10.7498/aps.69.20191209
    [6] 任杰, 阮锡超, 陈永浩, 蒋伟, 鲍杰, 栾广源, 张奇玮, 黄翰雄, 王朝辉, 安琪, 白怀勇, 鲍煜, 曹平, 陈昊磊, 陈琪萍, 陈裕凯, 陈朕, 崔增琪, 樊瑞睿, 封常青, 高可庆, 顾旻皓, 韩长材, 韩子杰, 贺国珠, 何泳成, 洪杨, 黄蔚玲, 黄锡汝, 季筱璐, 吉旭阳, 江浩雨, 姜智杰, 敬罕涛, 康玲, 康明涛, 李波, 李超, 李嘉雯, 李论, 李强, 李晓, 李样, 刘荣, 刘树彬, 刘星言, 穆奇丽, 宁常军, 齐斌斌, 任智洲, 宋英鹏, 宋朝晖, 孙虹, 孙康, 孙晓阳, 孙志嘉, 谭志新, 唐洪庆, 唐靖宇, 唐新懿, 田斌斌, 王丽娇, 王鹏程, 王琦, 王涛峰, 文杰, 温中伟, 吴青彪, 吴晓光, 吴煊, 解立坤, 羊奕伟, 易晗, 于莉, 余滔, 于永积, 张国辉, 张林浩, 张显鹏, 张玉亮, 张志永, 赵豫斌, 周路平, 周祖英, 朱丹阳, 朱科军, 朱鹏. 中国散裂中子源反角白光中子源束内伽马射线研究. 物理学报, 2020, 69(17): 172901. doi: 10.7498/aps.69.20200718
    [7] 王勋, 张凤祁, 陈伟, 郭晓强, 丁李利, 罗尹虹. 基于中国散裂中子源的商用静态随机存取存储器中子单粒子效应实验研究. 物理学报, 2020, 69(16): 162901. doi: 10.7498/aps.69.20200265
    [8] 詹霞, JoeKelleher, 高建波, 马艳玲, 初铭强, 张书彦, 张鹏, SanjooramPaddea, 贡志锋, 侯晓东. 英国散裂中子源工程材料原位加载衍射实验高温样品环境优化设计. 物理学报, 2019, 68(13): 132901. doi: 10.7498/aps.68.20182295
    [9] 鲍杰, 陈永浩, 张显鹏, 栾广源, 任杰, 王琦, 阮锡超, 张凯, 安琪, 白怀勇, 曹平, 陈琪萍, 程品晶, 崔增琪, 樊瑞睿, 封常青, 顾旻皓, 郭凤琴, 韩长材, 韩子杰, 贺国珠, 何泳成, 何越峰, 黄翰雄, 黄蔚玲, 黄锡汝, 季筱路, 吉旭阳, 江浩雨, 蒋伟, 敬罕涛, 康玲, 康明涛, 兰长林, 李波, 李论, 李强, 李晓, 李阳, 李样, 刘荣, 刘树彬, 刘星言, 马应林, 宁常军, 聂阳波, 齐斌斌, 宋朝晖, 孙虹, 孙晓阳, 孙志嘉, 谭志新, 唐洪庆, 唐靖宇, 王鹏程, 王涛峰, 王艳凤, 王朝辉, 王征, 文杰, 温中伟, 吴青彪, 吴晓光, 吴煊, 解立坤, 羊奕伟, 杨毅, 易晗, 于莉, 余滔, 于永积, 张国辉, 张旌, 张林浩, 张利英, 张清民, 张奇伟, 张玉亮, 张志永, 赵映潭, 周良, 周祖英, 朱丹阳, 朱科军, 朱鹏. 更正:中国散裂中子源反角白光中子束流参数的初步测量. 物理学报, 2019, 68(10): 109901. doi: 10.7498/aps.68.109901
    [10] 鲍杰, 陈永浩, 张显鹏, 栾广源, 任杰, 王琦, 阮锡超, 张凯, 安琪, 白怀勇, 曹平, 陈琪萍, 程品晶, 崔增琪, 樊瑞睿, 封常青, 顾旻皓, 郭凤琴, 韩长材, 韩子杰, 贺国珠, 何泳成, 何越峰, 黄翰雄, 黄蔚玲, 黄锡汝, 季筱路, 吉旭阳, 江浩雨, 蒋伟, 敬罕涛, 康玲, 康明涛, 兰长林, 李波, 李论, 李强, 李晓, 李阳, 李样, 刘荣, 刘树彬, 刘星言, 马应林, 宁常军, 聂阳波, 齐斌斌, 宋朝晖, 孙虹, 孙晓阳, 孙志嘉, 谭志新, 唐洪庆, 唐靖宇, 王鹏程, 王涛峰, 王艳凤, 王朝辉, 王征, 文杰, 温中伟, 吴青彪, 吴晓光, 吴煊, 解立坤, 羊奕伟, 杨毅, 易晗, 于莉, 余滔, 于永积, 张国辉, 张旌, 张林浩, 张利英, 张清民, 张奇伟, 张玉亮, 张志永, 赵映潭, 周良, 周祖英, 朱丹阳, 朱科军, 朱鹏. 中国散裂中子源反角白光中子束流参数的初步测量. 物理学报, 2019, 68(8): 080101. doi: 10.7498/aps.68.20182191
    [11] 王勋, 张凤祁, 陈伟, 郭晓强, 丁李利, 罗尹虹. 中国散裂中子源在大气中子单粒子效应研究中的应用评估. 物理学报, 2019, 68(5): 052901. doi: 10.7498/aps.68.20181843
    [12] 王立鹏, 江新标, 吴宏春, 樊慧庆. 氮化铀热中子截面的第一性原理计算. 物理学报, 2018, 67(20): 202801. doi: 10.7498/aps.67.20180834
    [13] 温志文, 祁辉荣, 张余炼, 王海云, 刘凌, 王艳凤, 张建, 李玉红, 孙志嘉. 用于中国散裂中子源多功能反射谱仪的高气压多丝正比室探测器的研制. 物理学报, 2018, 67(7): 072901. doi: 10.7498/aps.67.20172618
    [14] 王胜, 李航, 曹超, 吴洋, 霍合勇, 唐彬. 新型热中子敏感微通道板探测效率的蒙特-卡罗模拟研究. 物理学报, 2015, 64(10): 102801. doi: 10.7498/aps.64.102801
    [15] 沈飞, 梁泰然, 殷雯, 于全芝, 左太森, 姚泽恩, 朱涛, 梁天骄. 中国散裂中子源多功能反射谱仪屏蔽设计. 物理学报, 2014, 63(15): 152801. doi: 10.7498/aps.63.152801
    [16] 于全芝, 殷雯, 梁天骄. 中国散裂中子源靶站重要部件的辐照损伤计算与分析. 物理学报, 2011, 60(5): 052501. doi: 10.7498/aps.60.052501
    [17] 曹明中, 王福元, 汪根时, 宋德瑛, 陈桂英, 阮景辉. 金属氢化物LaNi4.5Mn0.5Hx的热中子非弹性散射谱. 物理学报, 1985, 34(5): 689-693. doi: 10.7498/aps.34.689
    [18] 阮景辉, 成之绪, 陈桂英. 金属氢化物(AlH3)n的热中子非弹性散射谱. 物理学报, 1981, 30(4): 538-541. doi: 10.7498/aps.30.538
    [19] 陈桂英, 成之绪, 吴享南, 阮景辉. 钯氢的热中子非弹性散射. 物理学报, 1980, 29(2): 257-259. doi: 10.7498/aps.29.257
    [20] 陆挺, 阮景辉, 李竹起, 萨本豪, 董秀芳. 氢化锆中氢的热中子散射总截面. 物理学报, 1975, 24(3): 210-214. doi: 10.7498/aps.24.210
计量
  • 文章访问数:  7496
  • PDF下载量:  103
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2019-08-05
  • 修回日期:  2019-09-09
  • 上网日期:  2019-11-26
  • 刊出日期:  2019-12-05

/

返回文章
返回