分子束外延生长的(GaAs1－xSbx/InyGa1－yAs)/GaAs量子阱光致发光谱研究

徐晓华; 牛智川; 倪海桥; 徐应强; 张  纬; 贺正宏; 韩  勤; 吴荣汉; 江德生

doi:10.7498/aps.54.2950

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分子束外延生长的(GaAs1－xSbx/InyGa1－yAs)/GaAs量子阱光致发光谱研究

徐晓华 , 牛智川 , 倪海桥 , 徐应强 , 张纬 , 贺正宏 , 韩勤 , 吴荣汉 , 江德生

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分子束外延生长的(GaAs1－xSbx/InyGa1－yAs)/GaAs量子阱光致发光谱研究

徐晓华, 牛智川, 倪海桥, 徐应强, 张纬, 贺正宏, 韩勤, 吴荣汉, 江德生

物理学报, 2005, 54(6): 2950-2954.

doi: 10.7498/aps.54.2950

Photoluminescence study of (GaAs1－xSbx/InyGa1－yAs)/GaAs bilayer quantum well grown by molecular beam epitaxy

Xu Xiao-Hua, Niu Zhi-Chuan, Ni Hai-Qiao, Xu Ying-Qiang, Zhang Wei, He Zheng-Hong, Han Qin, Wu Rong-Han, Jiang De-Sheng

Acta Phys. Sin., 2005, 54(6): 2950-2954.

doi: 10.7498/aps.54.2950

摘要
报道了(GaAs1-xSbx/InyGa1-yAs)/Ga As量子阱结构的分子束外延生长与光致发光谱研究结果.变温与变激发功率光致发光谱的研究表明了此结构为二型量子阱发光性质.讨论了光谱双峰结构的跃迁机制.通过优化生长条件，获得了室温1 31μm发光.

关键词:
分子束外延 /

量子阱 /

二型发光
Abstract
Photoluminescence study of (GaAs1-xSbx/InyG a1-yAs)/GaAs bilayer quantum wells (BQWs) grown by molecular beam epitaxy (MBE) were carried out. Temperature and excitation power dependent photoluminescence (PL) s tudy indicated that the band alignment of the BQWs is type - Ⅱ. The origin of the double-peak luminescence was discussed. Under optimized growth conditions, t he PL emission wavelength from the BQWs has been extend up to 131 μm with a s ingle peak at room temperature.

Keywords:
molecular beam epitaxy /

bilayer quantum well /

type-Ⅱ luminesce nce
作者及机构信息
徐晓华,

牛智川,

倪海桥,

徐应强,

张纬,

贺正宏,

韩勤,

吴荣汉,

江德生

1.
中国科学院半导体研究所超晶格与微结构国家重点实验室,北京 100083

基金项目: 国家自然科学基金（批准号：90201026， 60137020）、863计划资助和中国博士后科学基金支持的课题.
Authors and contacts
Xu Xiao-Hua,

Niu Zhi-Chuan,

Ni Hai-Qiao,

Xu Ying-Qiang,

Zhang Wei,

He Zheng-Hong,

Han Qin,

Wu Rong-Han,

Jiang De-Sheng

1.
中国科学院半导体研究所超晶格与微结构国家重点实验室,北京 100083
参考文献

施引文献

[1]	尤明慧, 李雪, 李士军, 刘国军. 晶格匹配InAs/AlSb超晶格材料的分子束外延生长研究. 物理学报, 2023, 72(1): 014203. doi: 10.7498/aps.72.20221383
[2]	李更, 郭辉, 高鸿钧. 超高真空构筑新型二维材料及其异质结构. 物理学报, 2022, 71(10): 106801. doi: 10.7498/aps.71.20212407
[3]	郑晓虎, 张建峰, 杜瑞瑞. InSb(111)衬底上外延生长二维拓扑绝缘体锡烯/铋烯的差异性研究. 物理学报, 2022, 71(18): 186401. doi: 10.7498/aps.71.20221024
[4]	李培根, 张济海, 陶野, 钟定永. 二维磁性过渡金属卤化物的分子束外延制备及物性调控. 物理学报, 2022, 71(12): 127505. doi: 10.7498/aps.71.20220727
[5]	王兴悦, 张辉, 阮子林, 郝振亮, 杨孝天, 蔡金明, 卢建臣. 超高真空条件下分子束外延生长的单层二维原子晶体材料的研究进展. 物理学报, 2020, 69(11): 118101. doi: 10.7498/aps.69.20200174
[6]	张马淋, 葛剑峰, 段明超, 姚钢, 刘志龙, 管丹丹, 李耀义, 钱冬, 刘灿华, 贾金锋. SrTiO3(001)衬底上多层FeSe薄膜的分子束外延生长. 物理学报, 2016, 65(12): 127401. doi: 10.7498/aps.65.127401
[7]	刘珂, 马文全, 黄建亮, 张艳华, 曹玉莲, 黄文军, 赵成城. 含有AlGaAs插入层的InAs/GaAs三色量子点红外探测器. 物理学报, 2016, 65(10): 108502. doi: 10.7498/aps.65.108502
[8]	杨文献, 季莲, 代盼, 谭明, 吴渊渊, 卢建娅, 李宝吉, 顾俊, 陆书龙, 马忠权. 基于分子束外延生长的1.05 eV InGaAsP的超快光学特性研究. 物理学报, 2015, 64(17): 177802. doi: 10.7498/aps.64.177802
[9]	祝梦遥, 鲁军, 马佳淋, 李利霞, 王海龙, 潘东, 赵建华. 高质量稀磁半导体(Ga, Mn)Sb单晶薄膜分子束外延生长. 物理学报, 2015, 64(7): 077501. doi: 10.7498/aps.64.077501
[10]	玛丽娅, 李豫东, 郭旗, 艾尔肯, 王海娇, 曾骏哲. In0.53Ga0.47As/InP量子阱与体材料的1 MeV电子束辐照光致发光谱研究. 物理学报, 2015, 64(15): 154217. doi: 10.7498/aps.64.154217
[11]	王萌, 欧云波, 李坊森, 张文号, 汤辰佳, 王立莉, 薛其坤, 马旭村. SrTiO3(001)衬底上单层FeSe超导薄膜的分子束外延生长. 物理学报, 2014, 63(2): 027401. doi: 10.7498/aps.63.027401
[12]	万文坚, 尹嵘, 谭智勇, 王丰, 韩英军, 曹俊诚. 2.9THz束缚态向连续态跃迁量子级联激光器研制. 物理学报, 2013, 62(21): 210701. doi: 10.7498/aps.62.210701
[13]	李立, 刘红侠, 杨兆年. 量子阱Si/SiGe/Sip型场效应管阈值电压和沟道空穴面密度模型. 物理学报, 2012, 61(16): 166101. doi: 10.7498/aps.61.166101
[14]	苏少坚, 汪巍, 张广泽, 胡炜玄, 白安琪, 薛春来, 左玉华, 成步文, 王启明. Si(001)衬底上分子束外延生长Ge0.975Sn0.025合金薄膜. 物理学报, 2011, 60(2): 028101. doi: 10.7498/aps.60.028101
[15]	赵明海, 孙静静, 王丹, 邹志强, 梁齐. C60分子在Si（111）-7×7表面分子束外延生长的STM研究. 物理学报, 2010, 59(1): 636-642. doi: 10.7498/aps.59.636
[16]	张燕辉, 陈平平, 李天信, 殷豪. GaAs(001)衬底上分子束外延生长InNSb单晶薄膜. 物理学报, 2010, 59(11): 8026-8030. doi: 10.7498/aps.59.8026
[17]	常俊, 黎华, 韩英军, 谭智勇, 曹俊诚. 太赫兹量子级联激光器材料生长及表征. 物理学报, 2009, 58(10): 7083-7087. doi: 10.7498/aps.58.7083
[18]	刘林生, 刘肃, 王文新, 赵宏鸣, 刘宝利, 蒋中伟, 高汉超, 王佳, 黄庆安, 陈弘, 周均铭. 关于RHEED振荡技术优化GaAs(110)量子阱生长的研究. 物理学报, 2007, 56(6): 3355-3359. doi: 10.7498/aps.56.3355
[19]	卢励吾, 张砚华, 徐遵图, 徐仲英, 王占国, J.Wang, WeikunGe. 快速热处理对应变InGaAs/GaAs单量子阱激光二极管电子发射和DX中心的影响. 物理学报, 2002, 51(2): 367-371. doi: 10.7498/aps.51.367
[20]	敬超, 金晓峰, 董国胜, 龚小燕, 郁黎明, 郑卫民. 分子束外延生长Fe/Fe50Mn50双层膜的交换偏置. 物理学报, 2000, 49(10): 2022-2026. doi: 10.7498/aps.49.2022

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物理学报. 2005, 54(6): 2950-2954.

doi: 10.7498/aps.54.2950.

分子束外延生长的(GaAs1－xSbx/InyGa1－yAs)/GaAs量子阱光致发光谱研究

1. 中国科学院半导体研究所超晶格与微结构国家重点实验室,北京 100083

基金项目: 国家自然科学基金（批准号：90201026， 60137020）、863计划资助和中国博士后科学基金支持的课题.

收稿日期: 2004-05-14
修回日期: 2004-11-18
刊出日期: 2005-03-05

摘要: 报道了(GaAs1-xSbx/InyGa1-yAs)/Ga As量子阱结构的分子束外延生长与光致发光谱研究结果.变温与变激发功率光致发光谱的研究表明了此结构为二型量子阱发光性质.讨论了光谱双峰结构的跃迁机制.通过优化生长条件，获得了室温1 31μm发光.

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Photoluminescence study of (GaAs1－xSbx/InyGa1－yAs)/GaAs bilayer quantum well grown by molecular beam epitaxy

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作者及机构信息

1.
中国科学院半导体研究所超晶格与微结构国家重点实验室,北京 100083

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分子束外延生长的(GaAs1－xSbx/InyGa1－yAs)/GaAs量子阱光致发光谱研究

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Photoluminescence study of (GaAs1－xSbx/InyGa1－yAs)/GaAs bilayer quantum well grown by molecular beam epitaxy

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分子束外延生长的(GaAs1－xSbx/InyGa1－yAs)/GaAs量子阱光致发光谱研究

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Photoluminescence study of (GaAs1－xSbx/InyGa1－yAs)/GaAs bilayer quantum well grown by molecular beam epitaxy

1. 中国科学院半导体研究所 超晶格与微结构国家重点实验室,北京 100083

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