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在Si-Ge晶体外延生长中的RHEED花样研究

张冲 叶辉 张磊 皇甫幼睿 刘旭

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在Si-Ge晶体外延生长中的RHEED花样研究

张冲, 叶辉, 张磊, 皇甫幼睿, 刘旭

A study of RHEED pattern from the epitaxial growth of Si-Ge crystal

Zhang Chong, Ye Hui, Zhang Lei, Huang-Fu You-Rui, Liu Xu
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出版历程
  • 收稿日期:  2009-02-18
  • 修回日期:  2009-03-31
  • 刊出日期:  2009-11-20

在Si-Ge晶体外延生长中的RHEED花样研究

  • 1. 浙江大学现代光学仪器国家重点实验室,杭州 310027
    基金项目: 浙江省自然科学基金(批准号:Y407109)资助的课题.

摘要: 在晶体衍射理论基础上,利用运动学理论解释了反射式高能电子衍射(reflection high energy electron diffraction, RHEED)在Si-Ge晶体外延生长过程中不同阶段出现的花样.尤其研究了晶体岛状生长之后出现的RHHED透射式衍射花样,并给出了相应的解释.解释了硅锗外延生长过程中的多晶环图案和孪晶衍射图案的含义,并给出各个生长阶段演化的工艺条件.

English Abstract

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