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质子辐照电荷耦合器件诱导电荷转移效率退化的实验分析

王祖军 唐本奇 肖志刚 刘敏波 黄绍艳 张勇

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质子辐照电荷耦合器件诱导电荷转移效率退化的实验分析

王祖军, 唐本奇, 肖志刚, 刘敏波, 黄绍艳, 张勇

Experimental analysis of charge transfer efficiency degradation of charge coupled devices induced by proton irradiation

Wang Zu-Jun, Tang Ben-Qi, Xiao Zhi-Gang, Liu Min-Bo, Huang Shao-Yan, Zhang Yong
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  • 开展了电荷耦合器件(CCD)质子辐照损伤的实验研究. 分析了质子辐照CCD后电荷转移效率的退化规律,阐述了质子辐照诱导电荷转移效率退化的损伤机理,比较了不同能量质子对电荷转移效率的损伤程度. 通过开展辐射粒子输运理论计算,分析了不同能量质子对电荷转移效率损伤差异的原因.
    The experiments on charge coupled devices (CCD) irradiated by protons were carried out. The charge transfer efficiency (CTE) of CCD was measured before and after proton radiation. The radiation damage mechanism of CTE degradation was analyzed. The CTE degradation induced by irradiation of protons of different energies was compared. The experimental results were explained by the theoretical analysis based on the calculation by radiation particle transport simulation software.
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出版历程
  • 收稿日期:  2009-09-17
  • 修回日期:  2009-12-10
  • 刊出日期:  2010-03-05

质子辐照电荷耦合器件诱导电荷转移效率退化的实验分析

  • 1. (1)清华大学工程物理系,粒子技术与辐射成像教育部重点实验室,北京 100084;西北核技术研究所,西安 710024; (2)西北核技术研究所,西安 710024

摘要: 开展了电荷耦合器件(CCD)质子辐照损伤的实验研究. 分析了质子辐照CCD后电荷转移效率的退化规律,阐述了质子辐照诱导电荷转移效率退化的损伤机理,比较了不同能量质子对电荷转移效率的损伤程度. 通过开展辐射粒子输运理论计算,分析了不同能量质子对电荷转移效率损伤差异的原因.

English Abstract

参考文献 (16)

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