搜索

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

分子束外延生长AlGaAs/GaAs GRIN-SCH SQW激光器中高温陷阱的研究

卢励吾 周洁 徐俊英 钟战天

引用本文:
Citation:

分子束外延生长AlGaAs/GaAs GRIN-SCH SQW激光器中高温陷阱的研究

卢励吾, 周洁, 徐俊英, 钟战天

STUDIES ON HIGH TEMPERATURE TRAP OF AlGaAs/GaAs GRIN SCH SQW LASER FABRICATED BY MBE

LU LI-WU, ZHOU JIE, XU JUN-YING, ZHONG ZHAN-TIAN
PDF
导出引用
计量
  • 文章访问数:  5038
  • PDF下载量:  494
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  1992-02-14
  • 刊出日期:  2005-07-10

分子束外延生长AlGaAs/GaAs GRIN-SCH SQW激光器中高温陷阱的研究

  • 1. (1)半导体超晶格国家重点实验室,北京100083; (2)表面物理国家重点实验室,北京100080;中国科学院半导体研究所,北京100083; (3)集成光电子学联合实验室半导体所实验区,北京100083;中国科学院半导体研究所,北京100083; (4)中国科学院半导体研究所,北京100083

摘要: 应用深能级瞬态谱(DLTS)技术研究分子束外延(MBE)生长的AlGaAs/GaAs graded index separate confinement heterostructure single well(GRIN-SCH SQW)激光器的高温陷阱。样品的DLTS表明,在激光器的n-AlGaAs层里存在着高温(空穴、电子)陷阱,它直接影响着激光器的性能。高温空穴陷阱可能分布在xAl =0.2→0.43和xAl=0.43的n-AlGaAs层界面附近,而高温电子陷阱则可能分布在xAl=0.43的n-AlGaAs层里xAl值不连续的界面附近。高温电子陷阱的产生可能与AlGaAs层里的O有关。

English Abstract

目录

    /

    返回文章
    返回