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Ge_xSi_1-x_/Si应变层超晶格的分子束外延生长及其特性研究

周国良;盛篪;樊永良;蒋维栋;俞鸣人

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Ge_xSi_1-x_/Si应变层超晶格的分子束外延生长及其特性研究

周国良;盛篪;樊永良;蒋维栋;俞鸣人

MOLECULAR BEAM EPITAXY GROWTH AND CHARACTERIZATION OF Ge_xSi_1-x_/Si STRAINED一AYER SUPERLATTICES

Zhou Guo-liang Sheng Chi Fan Yong-liang Jiang Wei-dong Yu Ming-reng
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出版历程
  • 刊出日期:  1991-04-05

Ge_xSi_1-x_/Si应变层超晶格的分子束外延生长及其特性研究

  • 1. 复旦大学表面物理实验室,

摘要: 在 Si (l00) 衬底上用分子束外延在不同的温度下生长了不同组份的GeGe_xSi_1-x_/Si 应变层超晶格.用反射式高能电子衍射、x 射线双晶衍射、卢瑟福背散射、透射电子显微镜以及Raman散射等侧试方法研究了Ge Ge_xSi_1-x_/Si超晶格的生长及其结构特性. 结果表明, 对不同合金组份的超晶格, 其最佳生长温度不同. x值小, 生长温度高; 反之, 则要求生长温度低. 对于x为0. 1-0. 6 , 在400-600℃ 的生长温度范围能够长成界面平整、晶格完好和周期均匀的GeGe_xSi_1-x_/Si应变层超晶格.

English Abstract

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