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Snapback应力引起的90 nm NMOSFET's栅氧化层损伤研究

朱志炜 郝 跃 马晓华 曹艳荣 刘红侠

引用本文:
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Snapback应力引起的90 nm NMOSFET's栅氧化层损伤研究

朱志炜, 郝 跃, 马晓华, 曹艳荣, 刘红侠

Investigation of snapback stress induced gate oxide defect for NMOSFET’s in 90 nm technology

Zhu Zhi-Wei, Hao Yue, Ma Xiao-Hua, Cao Yan-Rong, Liu Hong-Xia
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出版历程
  • 收稿日期:  2006-06-19
  • 修回日期:  2006-07-06
  • 刊出日期:  2007-01-05

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