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闪速存储器中应力诱生漏电流的产生机理

刘红侠 郑雪峰 郝 跃

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闪速存储器中应力诱生漏电流的产生机理

刘红侠, 郑雪峰, 郝 跃

Generation mechanism of stress induced leakage current in flash memory cell

Liu Hong-Xia, Zheng Xue-Feng, Hao Yue
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出版历程
  • 收稿日期:  2005-04-08
  • 修回日期:  2005-07-18
  • 刊出日期:  2005-06-05

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