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控制氧化层对双势垒纳米硅浮栅存储结构性能的影响

丁宏林 刘 奎 王 祥 方忠慧 黄 健 余林蔚 李 伟 黄信凡 陈坤基

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控制氧化层对双势垒纳米硅浮栅存储结构性能的影响

丁宏林, 刘 奎, 王 祥, 方忠慧, 黄 健, 余林蔚, 李 伟, 黄信凡, 陈坤基

Effect of control oxide on the performance of nanocrystalline silicon based double-barrier floating gate memory structure

Ding Hong-Lin, Liu Kui, Wang Xiang, Fang Zhong-Hui, Huang Jian, Yu Lin-Wei, Li Wei, Huang Xin-Fan, Chen Kun-Ji
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出版历程
  • 收稿日期:  2007-11-10
  • 修回日期:  2007-12-05
  • 刊出日期:  2008-07-20

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