硅衬底GaN基LED N极性n型欧姆接触研究

封飞飞; 刘军林; 邱冲; 王光绪; 江风益

doi:10.7498/aps.59.5706

摘要

在Si衬底GaN基垂直结构LED的N极性n型面上,利用电子束蒸发的方法制作了Ti/Al电极,通过了I-V曲线研究了有无AlN缓冲层对这种芯片欧姆接触的影响.结果显示,去除AlN缓冲层后的N极性n型面与Ti/Al电极在500到600 ℃范围内退火才能形成欧姆接触.而保留AlN缓冲层的N极性n型面与Ti/Al电极未退火时就表现为较好的欧姆接触,比接触电阻率为2×10-5 Ω·cm2,即使退火温度升高至600 ℃,也始终保持着欧姆接触特性.因此,AlN缓冲层的存在是Si衬底GaN基垂直结构LED获得高热稳定性n型欧姆接触的关键.

关键词:

硅衬底 /
N极性 /
AlN缓冲层 /
欧姆接触

Abstract

Ti/Al contacts have been deposited by electron beam Evaporation onto N-polar n-type surfaces of GaN-based vertical structure LED on Si substrate. The effect of AlN buffer layer on ohmic contact of these chips has been investigated through I-V characteristic. The results shown Ti/Al contacts prepared on N-polar n-type surface without AlN buffer layer became ohmic contact after annealing in the temperature range of 500—600℃. The as-deposited Ti/Al contacts on N-polar n-type surface with AlN buffer layer shown ohmic behaviors with a specific contact resistivity of 2×10-5 Ωcm2 and maintained ohmic contact characteristics until anneal at 600℃. Therefore, The exsiting of AlN buffer layer is the key to forming highthermal stability ohmic contact for GaN-based vertical structure LED on Si substrate.

Keywords:

作者及机构信息

(1)晶能光电(江西)有限公司,南昌 330029; (2)南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心,南昌 330047; (3)南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心,南昌 330047; 晶能光电(江西)有限公司,南昌 330029; (4)南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心,南昌 330047;晶能光电(江西)有限公司,南昌 330029

基金项目: 国家高技术研究发展计划(批准号:2006AA03A128),教育部长江学者与创新团队发展计划(批准号:IRT0730)资助的课题.

Authors and contacts

(1)Education Ministry Engineering Research Center for Luminescence Materials and Devices, Nanchang University, Nanchang 330047, China; (2)Education Ministry Engineering Research Center for Luminescence Materials and Devices, Nanchang University, Nanchang 330047, China; Latticepower (jiangxi) Corporation, Nanchang 330096, China; (3)Latticepower (jiangxi) Corporation, Nanchang 330096, China

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