搜索

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

55 nm硅-氧化硅-氮化硅-氧化硅-硅闪存单元的γ射线和X射线电离总剂量效应研究

曹杨 习凯 徐彦楠 李梅 李博 毕津顺 刘明

引用本文:
Citation:

55 nm硅-氧化硅-氮化硅-氧化硅-硅闪存单元的γ射线和X射线电离总剂量效应研究

曹杨, 习凯, 徐彦楠, 李梅, 李博, 毕津顺, 刘明

Total ionizing dose effects of γ and X-rays on 55 nm silicon-oxide-nitride-oxide-silicon single flash memory cell

Cao Yang, Xi Kai, Xu Yan-Nan, Li Mei, Li Bo, Bi Jin-Shun, Liu Ming
PDF
HTML
导出引用
计量
  • 文章访问数:  8687
  • PDF下载量:  109
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2018-09-05
  • 修回日期:  2018-12-18
  • 上网日期:  2019-02-01
  • 刊出日期:  2019-02-05

/

返回文章
返回