| [1] |
李香草, 刘宝安, 李猛, 闫春燕, 任杰, 刘畅, 巨新. 用光致发光研究不同通量辐照磷酸二氢钾晶体的缺陷. 物理学报,
2020, 69(17): 174208.
doi: 10.7498/aps.69.20200482
|
| [2] |
王强, 杨立学, 刘北云, 闫胤洲, 陈飞, 蒋毅坚. 本征富受主型ZnO微米管光致发光的温度调控机制. 物理学报,
2020, 69(19): 197701.
doi: 10.7498/aps.69.20200655
|
| [3] |
魏晓旭, 程英, 霍达, 张宇涵, 王军转, 胡勇, 施毅. Au的金属颗粒对二硫化钼发光增强. 物理学报,
2014, 63(21): 217802.
doi: 10.7498/aps.63.217802
|
| [4] |
刘智, 李亚明, 薛春来, 成步文, 王启明. 掺杂对多层Ge/Si(001)量子点光致发光的影响. 物理学报,
2013, 62(7): 076108.
doi: 10.7498/aps.62.076108
|
| [5] |
王红培, 王广龙, 喻颖, 徐应强, 倪海桥, 牛智川, 高凤岐. 内嵌InAs量子点的δ掺杂GaAs/AlxGa1-xAs二维电子气特性分析. 物理学报,
2013, 62(20): 207303.
doi: 10.7498/aps.62.207303
|
| [6] |
王凯悦, 李志宏, 高凯, 朱玉梅. 电子辐照金刚石的光致发光研究. 物理学报,
2012, 61(9): 097803.
doi: 10.7498/aps.61.097803
|
| [7] |
张红, 张春元, 张慧亮, 刘建军. 外加磁场下抛物型量子线中的带电激子. 物理学报,
2011, 60(7): 077301.
doi: 10.7498/aps.60.077301
|
| [8] |
冀子武, 郑雨军, 徐现刚. 超强磁场下非掺杂ZnSe/BeTe Ⅱ型量子阱中激子和带电激子的光学特性. 物理学报,
2011, 60(4): 047805.
doi: 10.7498/aps.60.047805
|
| [9] |
冀子武, 郑雨军, 徐现刚, 鲁云. ZnSe/BeTe Ⅱ型量子阱中界面结构对发光特性的影响. 物理学报,
2010, 59(11): 7986-7990.
doi: 10.7498/aps.59.7986
|
| [10] |
刘春明, 方丽梅, 祖小涛. 钴掺杂二氧化锡纳米粉的光致发光和磁学性质. 物理学报,
2009, 58(2): 936-940.
doi: 10.7498/aps.58.936
|
| [11] |
李素梅, 宋淑梅, 吕英波, 王爱芳, 吴爱玲, 郑卫民. 量子限制受主的光致发光研究. 物理学报,
2009, 58(7): 4936-4940.
doi: 10.7498/aps.58.4936
|
| [12] |
商丽燕, 林 铁, 周文政, 黄志明, 李东临, 高宏玲, 崔利杰, 曾一平, 郭少令, 褚君浩. In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As量子阱中双子带占据的二维电子气的输运特性. 物理学报,
2008, 57(4): 2481-2485.
doi: 10.7498/aps.57.2481
|
| [13] |
冀子武, 三野弘文, 小嵨映二, 秋本良一, 嶽山正二郎. 调制n型掺杂ZnSe/BeTe Ⅱ型量子阱结构的发光特性. 物理学报,
2008, 57(5): 3260-3266.
doi: 10.7498/aps.57.3260
|
| [14] |
冀子武, 鲁 云, 陈锦祥, 三野弘文, 秋本良一, 嶽山正二郎. 调制掺杂ZnSe/BeTe Ⅱ型量子阱结构中的内秉电场和新型带电激子. 物理学报,
2008, 57(2): 1214-1219.
doi: 10.7498/aps.57.1214
|
| [15] |
邢艳辉, 韩 军, 刘建平, 邓 军, 牛南辉, 沈光地. 垒掺In提高InGaN/GaN多量子阱发光特性. 物理学报,
2007, 56(12): 7295-7299.
doi: 10.7498/aps.56.7295
|
| [16] |
高宏玲, 李东临, 周文政, 商丽燕, 王宝强, 朱战平, 曾一平. 不同量子阱宽度的InP基In0.53GaAs/In0.52AlAs高电子迁移率晶体管材料二维电子气的性能研究. 物理学报,
2007, 56(8): 4955-4959.
doi: 10.7498/aps.56.4955
|
| [17] |
周文政, 林 铁, 商丽燕, 黄志明, 崔利杰, 李东临, 高宏玲, 曾一平, 郭少令, 桂永胜, 褚君浩. InAlAs/InGaAs/InAlAs量子阱高迁移率二维电子气系统中的反弱局域效应研究. 物理学报,
2007, 56(7): 4099-4104.
doi: 10.7498/aps.56.4099
|
| [18] |
周文政, 林 铁, 商丽燕, 黄志明, 朱 博, 崔利杰, 高宏玲, 李东临, 郭少令, 桂永胜, 褚君浩. 双δ掺杂In0.65Ga0.35As/In0.52Al0.48As赝型高迁移率晶体管材料子带电子特性研究. 物理学报,
2007, 56(7): 4143-4147.
doi: 10.7498/aps.56.4143
|
| [19] |
舒 强, 舒永春, 张冠杰, 刘如彬, 姚江宏, 皮 彪, 邢晓东, 林耀望, 许京军, 王占国. 调制掺杂GaAs/AlGaAs 2DEG材料持久光电导及子带电子特性研究. 物理学报,
2006, 55(3): 1379-1383.
doi: 10.7498/aps.55.1379
|
| [20] |
周文政, 姚 炜, 朱 博, 仇志军, 郭少令, 林 铁, 崔利杰, 桂永胜, 褚君浩. 单边掺杂InAlAs/InGaAs单量子阱中二维电子气的磁输运特性. 物理学报,
2006, 55(4): 2044-2048.
doi: 10.7498/aps.55.2044
|
下载:
