应变Si NMOSFET阈值电压集约物理模型
物理学报
引用检索 快速检索
物理学报  2013, Vol. 62 Issue (7): 077103     doi:10.7498/aps.62.077103
凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质 当期目录| 过刊浏览| 高级检索     
应变Si NMOSFET阈值电压集约物理模型
周春宇1 2, 张鹤鸣1, 胡辉勇1, 庄奕琪1, 舒斌1, 王斌1, 王冠宇1
1. 西安电子科技大学微电子学院, 宽禁带半导体材料与器件重点实验室, 西安 710071;
2. 辽宁工程技术大学电子与信息工程学院, 葫芦岛 125105
Physical compact modeling for threshold voltage of strained Si NMOSFET
Zhou Chun-Yu1 2, Zhang He-Ming1, Hu Hui-Yong1, Zhuang Yi-Qi1, Su Bin1, Wang Bin1, Wang Guan-Yu1
1. Key Laboratory for Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, China;
2. School of Electronic and Information Engineering, Liaoning Technical University, Huludao 125105, China

版权所有 ©  物理学报
地址:北京市603信箱,《物理学报》编辑部 邮编:100190
电话:010-82649294,82649829,82649863   E-mail:apsoffice@iphy.ac.cn
网络系统维护电话:010-62662699-1; 技术支持邮箱 linjl@magtech.com.cn